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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.59 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值正向电流： | 300 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 12 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 45 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VSK30100S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, DO-4, 1 PIN |
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| VSK3020S | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 20V V(RRM), Silicon, |
|
| VSK3020T | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 20V V(RRM), Silicon, TO-3, 2 PIN |
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| VSK3030S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 30V V(RRM), Silicon, |
|
| VSK3030T | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 30V V(RRM), Silicon, TO-3, 2 PIN |
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| VSK3040S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 40V V(RRM), Silicon, |
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| VSK3040T | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 40V V(RRM), Silicon, TO-3, 2 PIN |
|
| VSK3050S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 50V V(RRM), Silicon, DO-4, 1 PIN |
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| VSK3050T | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 50V V(RRM), Silicon, TO-3, 2 PIN |
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| VSK3060S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 60V V(RRM), Silicon, DO-4, 1 PIN |
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