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VS-88HFR100M8

更新时间： 2024-11-13 18:22:55

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
8页	1270K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 85A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN

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VS-88HFR100M8 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DO-5, 1 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.61
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JEDEC-95代码：	DO-203AB	JESD-30 代码：	O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流：	1800 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	180 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	85 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压：	1000 V	最大反向电流：	9000 µA
表面贴装：	NO	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

VS-88HFR100M8 数据手册

VS-85HF(R) Series

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

Standard Recovery Diodes,

(Stud Version), 85 A

FEATURES

• High surge current capability

• Stud cathode and stud anode version

• Leaded version available

• Types up to 1600 V V_RRM

• Designed and qualified for industrial level

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

DO-203AB (DO-5)

TYPICAL APPLICATIONS

• Battery chargers

• Converters

PRODUCT SUMMARY

I_F(AV)

85 A

• Power supplies

• Machine tool controls

• Welding

Package

DO-203AB (DO-5)

Single diode

Circuit configuration

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS

85HF(R)

PARAMETER

TEST CONDITIONS

UNITS

10 to 120

140 to 160

140

°C

I_F(AV)

I_F(RMS)

I_FSM

T_C

110

133

50 Hz

60 Hz

50 Hz

60 Hz

Range

1700

1800

14 500

13 500

100 to 1200

-65 to +180

14 500

13 500

1400 to 1600

-65 to +150

I²t

A²s

V_RRM

T_J

°C

ELECTRICAL SPECIFICATIONS

VOLTAGE RATINGS

V_RRM, MAXIMUM REPETITIVE

PEAK REVERSE VOLTAGE

V_RSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE

I_RRMMAXIMUM

AT T_J= T_JMAXIMUM

VOLTAGE

CODE

TYPE NUMBER

PEAK REVERSE VOLTAGE

100

200

300

400

500

600

700

VS-85HF(R)

800

900

100

120

140

160

1000

1200

1400

1600

1100

1300

1500

1700

4.5

Revision: 13-Nov-14

Document Number: 95802

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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