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VS-15ETH06SPBF

更新时间： 2024-10-31 01:22:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 快速软恢复高电源软恢复二极管超快速软恢复二极管超快速软恢复高功率电源
页数 文件大小 规格书
8页 166K
描述
Hyperfast Rectifier, 15 A FRED Pt®

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VS-15ETH06SPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：7.8
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY HIGH POWER
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.6 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：120 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.035 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN (SN) - WITH NICKEL (NI) BARRIER端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VS-15ETH06SPBF 数据手册

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VS-15ETH06SPbF, VS-15ETH06-1PbF  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Hyperfast Rectifier, 15 A FRED Pt®  
FEATURES  
• Hyperfast recovery time  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
• 175 °C operating junction temperature  
• Single die center tap module  
TO-263AB (D2PAK)  
TO-262AA  
Base  
cathode  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 260 °C  
2
2
• AEC-Q101 qualified  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
3
1
3
1
DESCRIPTION / APPLICATIONS  
N/C  
Anode  
N/C  
Anode  
State of the art hyperfast recovery rectifiers designed with  
optimized performance of forward voltage drop, hyperfast  
recovery time, and soft recovery.  
VS-15ETH06SPbF  
VS-15ETH06-1PbF  
The planar structure and the platinum doped life time control  
guarantee the best overall performance, ruggedness and  
reliability characteristics.  
These devices are intended for use in PFC boost stage in the  
AC/DC section of SMPS, inverters or as freewheeling  
diodes.  
The extremely optimized stored charge and low recovery  
current minimize the switching losses and reduce over  
dissipation in the switching element and snubbers.  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
TO-263AB (D2PAK), TO-262AA  
IF(AV)  
15 A  
600 V  
VR  
VF at IF  
1.3 V  
t
rr (typ.)  
22 ns  
TJ max.  
175 °C  
Single diode  
Diode variation  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
IF(AV)  
TEST CONDITIONS  
MAX.  
600  
UNITS  
Peak repetitive reverse voltage  
Average rectified forward current  
Non-repetitive peak surge current  
Peak repetitive forward current  
Operating junction and storage temperatures  
V
TC = 140 °C  
TJ = 25 °C  
15  
IFSM  
120  
A
IFM  
30  
TJ, TStg  
-65 to +175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
IF = 15 A  
600  
-
-
V
-
-
-
-
-
-
1.8  
1.3  
0.2  
30  
2.2  
1.6  
50  
500  
-
Forward voltage  
VF  
IR  
IF = 15 A, TJ = 150 °C  
VR = VR rated  
Reverse leakage current  
μA  
TJ = 150 °C, VR = VR rated  
VR = 600 V  
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
20  
pF  
nH  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
8.0  
-
Revision: 09-Jul-15  
Document Number: 94003  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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VS-15ETH06SPBF 替代型号

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VS-15ETH06STRLPBF VISHAY

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