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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> VS-15ETX06FP-N3
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VS-15ETX06FP-N3

更新时间： 2024-11-01 12:02:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管局域网超快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
9页 201K
描述
Hyperfast Rectifier, 15 A FRED Pt®

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VS-15ETX06FP-N3 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.68Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT应用：HYPER FAST RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：3.2 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：170 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向电流：50 µA
最大反向恢复时间：0.032 µs表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-15ETX06FP-N3 数据手册

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VS-15ETX06PbF, VS-15ETX06-N3, VS-15ETX06FPPbF, VS-15ETX06FP-N3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Hyperfast Rectifier, 15 A FRED Pt®  
FEATURES  
• Hyperfast recovery time  
• Low forward voltage drop  
• 175 °C operating junction temperature  
• Benchmark ultralow forward voltage drop  
• Low leakage current  
TO-220AC  
TO-220 FULL-PAK  
Base  
cathode  
2
• Fully isolated package (VINS = 2500 VRMS  
)
• UL E78996 pending  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
• Designed and qualified according to JEDEC-JESD47  
1
1
3
3
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
(-N3 only)  
Cathode  
Cathode  
Anode  
Anode  
VS-15ETX06PbF  
VS-15ETX06-N3  
VS-15ETX06FPPbF  
VS-15ETX06FP-N3  
DESCRIPTION/APPLICATIONS  
State of the art hyperfast recovery rectifiers designed with  
optimized performance of forward voltage drop, hyperfast  
recovery time, and soft recovery.  
The planar structure and the platinum doped life time control  
guarantee the best overall performance, ruggedness and  
reliability characteristics.  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
TO-220AC, TO-220FP  
IF(AV)  
15 A  
600 V  
VR  
These devices are intended for use in PFC boost stage in  
the AC/DC section of SMPS, inverters or as freewheeling  
diodes.  
Their extremely optimized stored charge and low recovery  
current minimize the switching losses and reduce over  
dissipation in the switching element and snubbers.  
VF at IF  
3.2 V  
trr typ.  
18 ns  
TJ max.  
Diode variation  
175 °C  
Single die  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Peak repetitive reverse voltage  
VRRM  
600  
V
TC = 133 °C  
Average rectified forward current  
IF(AV)  
15  
TC = 62 °C (FULL-PAK)  
TJ = 25 °C  
A
Non-repetitive peak surge current  
Peak repetitive forward current  
IFSM  
IFM  
170  
30  
Operating junction and storage temperatures  
TJ, TStg  
- 65 to 175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
IF = 15 A  
600  
-
-
V
-
-
-
-
-
-
2.3  
1.5  
0.1  
40  
3.2  
1.8  
50  
300  
-
Forward voltage  
VF  
IR  
IF = 15 A, TJ = 150 °C  
VR = VR rated  
Reverse leakage current  
μA  
TJ = 150 °C, VR = VR rated  
VR = 600 V  
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
20  
pF  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
8.0  
-
nH  
Revision: 02-Jan-11  
Document Number: 94006  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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