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VP0340N1

更新时间: 2024-02-10 18:00:00
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 248K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-3

VP0340N1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-204AA包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.91外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):2.7 A最大漏极电流 (ID):2.7 A
最大漏源导通电阻:6 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):50 pFJEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL功耗环境最大值:100 W
最大功率耗散 (Abs):100 W最大脉冲漏极电流 (IDM):5 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):150 ns
最大开启时间(吨):80 nsBase Number Matches:1

VP0340N1 数据手册

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