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VP0340ND

更新时间： 2024-02-08 15:53:02

品牌	Logo	应用领域
超科 - SUPERTEX		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	28K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 400V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE

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VP0340ND 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIE	包装说明：	UNCASED CHIP, X-XUUC-N
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.91	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏源导通电阻：	6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	50 pF	JESD-30 代码：	X-XUUC-N
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	UNSPECIFIED	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

VP0340ND 数据手册

VP0340

P-Channel Enhancement-Mode

Vertical DMOS FETs

Ordering Information

Order Number / Package

I_D(ON)

BV_DSS

R_DS(ON)

BV_DGS

(max)

(min)

TO-3

TO-220

Die^†

-400V

6.0Ω

-1.5A

VP0340N1

VP0340N5

VP0340ND

†

MIL visual screening available

High Reliability Devices

Advanced DMOS Technology

See pages 5-4 and 5-5 for MILITARY STANDARD Process

Flows and Ordering Information.

These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a

vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate

manufacturing process. This combination produces devices with

the power handling capabilities of bipolar transistors and with the

high input impedance and positive temperature coefficient inher-

ent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, these

devices are free from thermal runaway and thermally-induced

secondary breakdown.

Features

■ Free from secondary breakdown

■ Low power drive requirement

■ Ease of paralleling

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range

of switching and amplifying applications where high breakdown

voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast

switching speeds are desired.

■ Low C_ISSand fast switching speeds

■ Excellent thermal stability

■ Integral Source-Drain diode

■ High input impedance and high gain

■ Complementary N- and P-channel devices

Package Options

Applications

■ Motor controls

■ Converters

■ Amplifiers

■ Switches

■ Power supply circuits

■ Drivers (relays, hammers, solenoids, lamps, memories,

displays, bipolar transistors, etc.)

TO-3

Case: DRAIN

Absolute Maximum Ratings

Drain-to-Source Voltage

TO-220

TAB: DRAIN

BV_DSS

Drain-to-Gate Voltage

BV_DGS

± 20V

Gate-to-Source Voltage

Operating and Storage Temperature

Soldering Temperature*

-55°C to +150°C

300°C

Note: See Package Outline section for dimensions.

* Distance of 1.6 mm from case for 10 seconds.

7-229

12 3 4

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VP0350	SUPERTEX	获取价格	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VP0350N	SUPERTEX	获取价格	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
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