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VP0335N5

更新时间： 2024-02-19 06:33:24
品牌 Logo 应用领域
超科 - SUPERTEX 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 59K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 350V, 6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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VP0335N5 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.91外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：350 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.6 A最大漏极电流 (ID)：1.6 A
最大漏源导通电阻：6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：50 pFJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL功耗环境最大值：50 W
最大功率耗散 (Abs)：50 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：5 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：150 ns
最大开启时间（吨）：80 nsBase Number Matches：1

VP0335N5 数据手册

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VP0335  
VP0340  
P-Channel Enhancement-Mode  
Vertical DMOS FETs  
Ordering Information  
Order Number / Package  
ID(ON)  
BVDSS  
/
RDS(ON)  
BVDGS  
(max)  
(min)  
-1.5A  
-1.5A  
TO-3  
TO-220  
Die†  
-350V  
6.0Ω  
6.0Ω  
—
VP0335N5  
VP0340N5  
VP0335ND  
VP0340ND  
-400V  
VP0340N1  
7
†
MIL visual screening available  
High Reliability Devices  
Advanced DMOS Technology  
See pages 5-4 and 5-5 for MILITARY STANDARD Process  
Flows and Ordering Information.  
These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a  
vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate  
manufacturing process. This combination produces devices with  
the power handling capabilities of bipolar transistors and with the  
high input impedance and positive temperature coefficient inher-  
ent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, these  
devices are free from thermal runaway and thermally-induced  
secondary breakdown.  
Features  
9
■
■
■
■
■
■
■
■
Free from secondary breakdown  
Low power drive requirement  
Ease of paralleling  
Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range  
of switching and amplifying applications where high breakdown  
voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast  
switching speeds are desired.  
Low CISS and fast switching speeds  
Excellent thermal stability  
Integral Source-Drain diode  
High input impedance and high gain  
Complementary N- and P-channel devices  
Package Options  
Applications  
■
■
■
■
■
■
Motor controls  
Converters  
Amplifiers  
Switches  
Power supply circuits  
Drivers (relays, hammers, solenoids, lamps, memories,  
displays, bipolar transistors, etc.)  
S
G
TO-3  
Case: DRAIN  
G
D
Absolute Maximum Ratings  
Drain-to-Source Voltage  
Drain-to-Gate Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
S
TO-220  
TAB: DRAIN  
BVDSS  
BVDGS  
± 20V  
Operating and Storage Temperature  
-55°C to +150°C  
300°C  
Soldering Temperature*  
Note: See Package Outline section for dimensions.  
* Distance of 1.6 mm from case for 10 seconds.  
7-229  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VP0335ND SUPERTEX

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