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VN3205N8-G

更新时间： 2024-11-11 02:56:31

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美国微芯 - MICROCHIP		输入元件开关脉冲晶体管
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14页	858K
描述
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

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VN3205N8-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	5 weeks	风险等级：	1.04
其他特性：	HIGH INPUT IMPEDANCE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (ID)：	1.5 A	最大漏源导通电阻：	0.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	30 pF
JEDEC-95代码：	TO-243AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	1.6 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	50 ns	最大开启时间（吨）：	25 ns
Base Number Matches：	1

VN3205N8-G 数据手册

VN3205

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

Features

General Description

• Free from Secondary Breakdown

• Low Power Drive Requirement

• Ease of Paralleling

The VN3205 Enhancement-mode (normally-off)

transistor uses a vertical DMOS structure and a

well-proven silicon-gate manufacturing process. This

combination produces a device with the power

handling capabilities of bipolar transistors and the high

input impedance and positive temperature coefficient

inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS

structures, this device is free from thermal runaway and

thermally induced secondary breakdown.

• Low C_ISSand Fast Switching Speeds

• Excellent Thermal Stability

• Integral Source-Drain Diode

• High Input Impedance and High Gain

Applications

Microchip’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a

wide range of switching and amplifying applications

where very low threshold voltage, high breakdown

voltage, high input impedance, low input capacitance,

and fast switching speeds are desired.

• Motor Controls

• Converters, Amplifiers, and Switches

• Power Supply Circuits

• Drivers (Relays, Hammers, Solenoids, Lamps,

Memories, Displays, Bipolar Transistors, etc.)

Package Types

3-lead TO-92

(Top view)

3-lead SOT-89

(Top view)

DRAIN

SOURCE

DRAIN

GATE

SOURCE

GATE

See Table 3-1 and Table 3-2 for pin information.

 2021 Microchip Technology Inc.

DS20005995A-page 1

12 3 4 5 6 7...14

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VN3205N8-G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
VN3205N8-G	SUPERTEX	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
VN3205N8	SUPERTEX	功能相似	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

与VN3205N8-G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VN3205ND	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VN3205NJ	SUPERTEX	获取价格	暂无描述
VN3205NW	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VN3218CC	ETC	获取价格	Analog Buffer/Voltage Follower
VN3218CI	ETC	获取价格	Analog Buffer/Voltage Follower
VN3218CM	ETC	获取价格	Analog Buffer/Voltage Follower
VN3218DC	ETC	获取价格	Analog Buffer/Voltage Follower
VN3218DI	ETC	获取价格	Analog Buffer/Voltage Follower
VN3218DM	ETC	获取价格	Analog Buffer/Voltage Follower
VN3218SC	ETC	获取价格	Analog Buffer/Voltage Follower

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