Datasheet > 驱动程序和接口 > 外围驱动器> VN340SP-33-E

VN340SP-33-E

更新时间： 2024-11-10 02:52:39

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		外围驱动器驱动程序和接口接口集成电路继电器固态继电器光电二极管
页数	文件大小	规格书
16页	211K
描述
Quad high side smart Power solid state relay

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

VN340SP-33-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	HSOP, SOP10,.55FL
针数：	10	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	1.4
Is Samacsys：	N	内置保护：	TRANSIENT; THERMAL; UNDER VOLTAGE
驱动器位数：	4	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G10	JESD-609代码：	e3
长度：	9.4 mm	湿度敏感等级：	3
功能数量：	4	端子数量：	10
输出电流流向：	SINK	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HSOP
封装等效代码：	SOP10,.55FL	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG	峰值回流温度（摄氏度）：	250
电源：	24 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.66 mm	子类别：	Peripheral Drivers
最大供电电压：	36 V	最小供电电压：	10 V
标称供电电压：	24 V	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	断开时间：	50 µs
接通时间：	100 µs	宽度：	7.5 mm
Base Number Matches：	1

VN340SP-33-E 数据手册

VN340SP-33-E

Quad high side smart

Power solid state relay

Features

(1)

V_CC

Type

V_demag

R_DSon

I_out

PowerSO-10

V_CC-55V

VN340SP-33-E

1. Per channel.

0.2Ω

36V

■ Output current : 1A per channel

■ Digital I/O‘s clamped at 32V minimum voltage

■ Shorted load and overtemperature protections

■ Protection against loss of ground

■ Built-in current limiter

Description

The VN340SP-33-E is a monolithic device made

using STMicroelectronics VIPower technology,

intended for driving four indipendent resistive or

inductive loads with one side connected to

ground. Active current limitation avoids dropping

the system power supply in case of shorted load.

Built-in thermal shut-down protects the chip from

overtemperature and short circuit. The open drain

diagnostic output indicates overtemperature

conditions. Each I/O is pulled down when

overtemperature condition of the relative channel

is verified.

■ Undervoltage shut-down

■ Open drain diagnostic output

■ Fast demagnetization of inductive loads

■ Conforms to IEC 61131-2

Figure 1. Block diagram

March 2007

Rev 3

1/16

www.st.com

12 3 4 5 6 7...16

中文翻译

下载PDF

VN340SP-33-E 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
VN330SPTR-32-E	STMICROELECTRONICS	完全替代	QUAD HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY
VN340SPTR-33-E	STMICROELECTRONICS	功能相似	Quad high side smart power solid state relay
VN330SP-32-E	STMICROELECTRONICS	功能相似	Quad high side smart Power solid state relay

与VN340SP-33-E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VN340SP-33-E_08	STMICROELECTRONICS	获取价格	Quad high side smart power solid state relay
VN340SP-E	STMICROELECTRONICS	获取价格	Quad high side smart Power solid state relay
VN340SPTR-33-E	STMICROELECTRONICS	获取价格	Quad high side smart power solid state relay
VN340SPTR-E	STMICROELECTRONICS	获取价格	Quad high side smart Power solid state relay
VN3515	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VN3515L	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VN3515L18	VISHAY	获取价格	150mA, 350V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA
VN3515L-18	TEMIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN3515L18-2	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN3515L-1TA	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与VN340SP-33-E相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

24
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

24
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

50
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

40

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VN340SP-33-E

VN340SP-33-E 技术参数

VN340SP-33-E 数据手册

VN340SP-33-E 替代型号

与VN340SP-33-E相关器件

与VN340SP-33-E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VN340SP-33-E

VN340SP-33-E 技术参数

VN340SP-33-E 数据手册

VN340SP-33-E 替代型号

与VN340SP-33-E相关器件

与VN340SP-33-E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？