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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.91 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.25 A | 最大漏源导通电阻： | 4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VN2106N3P012 | SUPERTEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VN2106N3P013 | SUPERTEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VN2106N3P014 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VN2106N3P015 | SUPERTEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VN2106N3P016 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VN2106N3P017 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VN2106N3P018 | SUPERTEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VN2110 | SUPERTEX |
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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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| VN2110 | MICROCHIP |
获取价格 |
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS st |
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| VN2110K1 | SUPERTEX |
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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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