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VN0655N3

更新时间： 2024-01-20 03:00:03
品牌 Logo 应用领域
超科 - SUPERTEX 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 29K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 550V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92

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VN0655N3 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.46
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：550 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.15 A最大漏极电流 (ID)：0.15 A
最大漏源导通电阻：20 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：20 pFJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

VN0655N3 数据手册

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VN0655  
VN0660  
N-Channel Enhancement-Mode  
Vertical DMOS FETs  
Ordering Information  
Order Number / Package  
ID(ON)  
BVDSS  
/
RDS(ON)  
(max)  
BVDGS  
(min)  
0.25A  
0.25A  
TO-92  
TO-220  
Die†  
550V  
20Ω  
20Ω  
VN0655N3  
VN0660N3  
—
VN0655ND  
VN0660ND  
600V  
VN0660N5  
†
MIL visual screening available  
Features  
■ Free from secondary breakdown  
■ Low power drive requirement  
■ Ease of paralleling  
Advanced DMOS Technology  
These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a  
vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate  
manufacturing process. This combination produces devices with  
the power handling capabilities of bipolar transistors and with the  
high input impedance and positive temperature coefficient inher-  
ent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, these  
devices are free from thermal runaway and thermally-induced  
secondary breakdown.  
■ Low CISS and fast switching speeds  
■ Excellent thermal stability  
■ Integral Source-Drain diode  
■ High input impedance and high gain  
Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range  
of switching and amplifying applications where high breakdown  
voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast  
switching speeds are desired.  
Applications  
■ Motor controls  
■ Converters  
Package Options  
■ Amplifiers  
■ Switches  
■ Power supply circuits  
■ Drivers (relays, hammers, solenoids, lamps,  
memories, displays, bipolar transistors, etc.)  
G
D
S G D  
S
Absolute Maximum Ratings  
Drain-to-Source Voltage  
Drain-to-Gate Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
TO-92  
TO-220  
TAB: DRAIN  
BVDSS  
BVDGS  
± 20V  
Operating and Storage Temperature  
-55°C to +150°C  
300°C  
Soldering Temperature*  
Note: See Package Outline section for dimensions.  
* Distance of 1.6 mm from case for 10 seconds.  
7-179  
1234

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与VN0655N3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VN0655N3P001 SUPERTEX

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 550V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN0655N3P002 SUPERTEX

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 550V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN0655N3P003 SUPERTEX

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VN0655N3P008 SUPERTEX

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 550V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN0655N3P011 SUPERTEX

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 550V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN0655N3P012 SUPERTEX

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