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VN0655ND

更新时间： 2024-02-21 23:53:51

品牌	Logo	应用领域
超科 - SUPERTEX		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	29K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 550V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE

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VN0655ND 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIE	包装说明：	UNCASED CHIP, X-XUUC-N
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.92	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	550 V	最大漏源导通电阻：	20 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	20 pF
JESD-30 代码：	X-XUUC-N	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	UNSPECIFIED
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

VN0655ND 数据手册

VN0655

VN0660

N-Channel Enhancement-Mode

Vertical DMOS FETs

Ordering Information

Order Number / Package

I_D(ON)

BV_DSS

R_DS(ON)

(max)

BV_DGS

(min)

0.25A

TO-92

TO-220

Die^†

550V

20Ω

VN0655N3

VN0660N3

—

VN0655ND

VN0660ND

600V

VN0660N5

†

MIL visual screening available

Features

■ Free from secondary breakdown

■ Low power drive requirement

■ Ease of paralleling

Advanced DMOS Technology

These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a

vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate

manufacturing process. This combination produces devices with

the power handling capabilities of bipolar transistors and with the

high input impedance and positive temperature coefficient inher-

ent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, these

devices are free from thermal runaway and thermally-induced

secondary breakdown.

■ Low C_ISSand fast switching speeds

■ Excellent thermal stability

■ Integral Source-Drain diode

■ High input impedance and high gain

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range

of switching and amplifying applications where high breakdown

voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast

switching speeds are desired.

Applications

■ Motor controls

■ Converters

Package Options

■ Amplifiers

■ Switches

■ Power supply circuits

■ Drivers (relays, hammers, solenoids, lamps,

memories, displays, bipolar transistors, etc.)

S G D

Absolute Maximum Ratings

Drain-to-Source Voltage

Drain-to-Gate Voltage

Gate-to-Source Voltage

TO-92

TO-220

TAB: DRAIN

BV_DSS

BV_DGS

± 20V

Operating and Storage Temperature

-55°C to +150°C

300°C

Soldering Temperature*

Note: See Package Outline section for dimensions.

* Distance of 1.6 mm from case for 10 seconds.

7-179

12 3 4

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与VN0655ND相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VN0660	NJSEMI	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VN0660N2	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN0660N3	NJSEMI	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VN0660N3P002	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN0660N3P007	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN0660N3P008	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN0660N3P011	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN0660N3P012	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN0660N3P014	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN0660N3P015	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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