VN06SP

更新时间： 2024-09-27 22:36:51

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		外围驱动器驱动程序和接口接口集成电路继电器固态继电器光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	222K
描述
HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

VN06SP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	POWER, SO-10	针数：	10
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	内置保护：	TRANSIENT; THERMAL; UNDER VOLTAGE
驱动器位数：	1	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G10	JESD-609代码：	e3
长度：	9.4 mm	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	10
输出电流流向：	SINK	最大输出电流：	1.9 A
标称输出峰值电流：	1.4 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP10,.55FL
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	13 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.75 mm
子类别：	Peripheral Drivers	最大供电电压：	26 V
最小供电电压：	5.5 V	标称供电电压：	13 V
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.5 mm	Base Number Matches：	1

VN06SP 数据手册

VN06SP

HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY

TYPE

V_DSS

R_DS(on)

I_n(*)

V_CC

VN06SP

60 V

0.18 Ω

1.9 A

26 V

■

MAXIMUM CONTINUOUS OUTPUT

CURRENT (#):9 A @ T_c=85^oC

■

5 V LOGIC LEVEL COMPATIBLE INPUT

THERMAL SHUT-DOWN

UNDER VOLTAGE PROTECTION

OPEN DRAIN DIAGNOSTIC OUTPUT

INDUCTIVE LOAD FAST

DEMAGNETIZATION

■

VERY LOW STAND-BY POWER

DISSIPATION

PowerSO-10

DESCRIPTION

The VN06SP is a monolithic device made using

STMicroelectronics

VIPower

Technology,

intended for driving resistive or inductive loads

with one side grounded.

Built-in thermal shut-down protects the chip from

over temperature and short circuit.

The open drain diagnostic output indicates: open

load in off state, and in on state, output shorted to

V_CCand overtemperature. Fast demagnetization

of inductive loads is archivied by negative (-18V)

load voltage at turn-off.

(*) In = Nominal current according to ISO definition for high side automotive switch (see note 1)

(#) The maximum continuous output current is the the current at T_c= 85 ^oC for a battery voltage of 13V which does not activate self

protection.

1/9

July 1998

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

VN06SP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
VN06SPTR-E	STMICROELECTRONICS	完全替代	0.18A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO10, SOP-10
VN06SP13TR	STMICROELECTRONICS	完全替代	ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY

与VN06SP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VN06SP13TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY
VN06SPTR-E	STMICROELECTRONICS	获取价格	0.18A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO10, SOP-10
VN0808	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VN0808	MICROCHIP	获取价格	This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and we
VN0808L	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VN0808L	VISHAY	获取价格	N-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETs
VN0808L-G	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
VN0808LP001	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.26A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
VN0808LP003	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
VN0808LP004	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.26A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与VN06SP相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

22
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

18
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

20
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VN06SP

VN06SP 技术参数

VN06SP 数据手册

VN06SP 替代型号

与VN06SP相关器件

与VN06SP相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VN06SP

VN06SP 技术参数

VN06SP 数据手册

VN06SP 替代型号

与VN06SP相关器件

与VN06SP相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？