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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 20 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 20 pF | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VN0660N3P014 | SUPERTEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| VN0660N3P015 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| VN0660N3P016 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| VN0660N3P017 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| VN0660N3P018 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| VN0660N5 | SUPERTEX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 600V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| VN0660N5 | NJSEMI |
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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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| VN0660ND | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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| VN0660ND | NJSEMI |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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| VN06A1C000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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