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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> VN0610LL
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VN0610LL

更新时间： 2024-01-02 00:41:50
品牌 Logo 应用领域
CALOGIC 晶体小信号场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
2页 28K
描述
N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors

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VN0610LL 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.21
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：0.19 A最大漏源导通电阻：5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：5 pF
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

VN0610LL 数据手册

 浏览型号VN0610LL的Datasheet PDF文件第2页 
VN0610LL, VN10LM  
N-Channel Enhancement-Mode  
MOS Transistors  
CORPORATION  
VN0610LL / VN10LM  
FEATURES  
ORDERING INFORMATION  
Low rDS(on) <5Ω  
Part  
Package  
Temperature Range  
•
VN0610LL  
VN10LM  
For sorted chips in carriers see 2N7000  
Plastic TO-92  
Plastic TO-237  
-55oC to +150oC  
APPLICATIONS  
-55oC to +150oC  
Switching  
Amplification  
•
•
PIN CONNECTIONS  
BOTTOM VIEW  
BOTTOM VIEW  
3
1
TO-92  
(TO-226AA)  
TO-237  
1
2
3
1 2 3  
1. SOURCE  
2. GATE  
3. DRAIN  
1. SOURCE  
2. GATE  
3. TAB-DRAIN  
2
CD5  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25oC unless otherwise noted)  
LIMITS  
SYMBOL  
PARAMETERS/TEST CONDITIONS  
UNITS  
VN0610LL  
60  
VN10LM  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
60  
±30  
0.32  
0.2  
1.4  
1.0  
0.4  
V
A
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current1  
Power Dissipation  
±30  
T
A = 25oC  
TA = 100oC  
0.28  
0.17  
1.3  
ID  
IDM  
PD  
T
A = 25oC  
TA = 100oC  
0.8  
W
0.32  
TJ, Tstg  
TL  
Operating Junction & Storage Temperature Range  
Lead Temperature (1/16" from case for 10 sec.)  
-55 to 150  
300  
oC  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
LIMITS  
SYMBOL  
THERMAL RESISTANCE  
UNITS  
VN0610LL  
VN10LM  
RthJA  
Junction-to-Ambient  
156  
125  
K/W  
1Pulse width limited by maximum junction temperature.  
12

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