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VN0610LLRLRE

更新时间： 2024-02-25 18:29:25
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
34页 316K
描述
TRANSISTOR 190 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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VN0610LLRLRE 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.59
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：0.19 A最大漏源导通电阻：5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：5 pF
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

VN0610LLRLRE 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
N–Channel — Enhancement  
3 DRAIN  
2
GATE  
1 SOURCE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Drain–Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
Vdc  
V
DSS  
1
Drain–Gate Voltage (R  
= 1 MΩ)  
V
DGR  
60  
GS  
2
3
Gate–Source Voltage  
– Continuous  
V
± 20  
± 40  
Vdc  
Vpk  
GS  
CASE 29–04, STYLE 22  
TO–92 (TO–226AA)  
– Non–repetitive (t ≤ 50 µs)  
V
GSM  
p
Drain Current  
Continuous  
Pulsed  
mAdc  
I
190  
1000  
D
I
DM  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
400  
3.2  
mW  
mW/°C  
A
Operating and Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
Symbol  
Max  
312.5  
300  
Unit  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
θJA  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/16” from case for 10 seconds  
T
L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Drain–Source Breakdown Voltage  
V
60  
—
Vdc  
(BR)DSS  
(V  
GS  
= 0, I = 100 µA)  
D
Zero Gate Voltage Drain Current  
I
µAdc  
DSS  
(V  
DS  
(V  
DS  
= 48 Vdc, V  
= 48 Vdc, V  
= 0)  
—
—
10  
500  
GS  
GS  
= 0, T = 125°C)  
J
Gate–Body Leakage Current, Forward  
(V = 30 V, V = 0)  
I
—
–100  
nAdc  
GSSF  
GSF DS  
(1)  
ON CHARACTERISTICS  
Gate Threshold Voltage (V  
DS  
= V , I = 1.0 mA)  
GS  
V
0.8  
2.5  
Vdc  
D
GS(th)  
Static Drain–Source On–Resistance  
r
Ω
DS(on)  
(V  
GS  
(V  
GS  
= 10 V, I = 500 mA)  
—
—
5.0  
9.0  
D
= 10 V, I = 500 mA, T = 125°C)  
D
C
Drain–Source On–Voltage  
V
Vdc  
DS(on)  
(V  
GS  
(V  
GS  
= 5.0 V, I = 200 mA)  
—
—
1.5  
2.5  
D
= 10 V, I = 500 mA)  
D
On–State Drain Current (V  
GS  
= 10 V, V  
≥ 2.0 V  
DS(on)  
)
I
750  
100  
—
—
mAdc  
DS  
D(on)  
Forward Transconductance (V  
DS  
≥ 2.0 V  
DS(on)  
, I = 500 mA)  
D
g
fs  
µmhos  
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 s, Duty Cycle  
2.0%.  
REV 1  
4–98  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
1234567...34

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VN0610LLRLRF MOTOROLA

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
VN0610LLRLRM ONSEMI

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 		190mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
VN0610LLRLRM MOTOROLA

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 		190mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
VN0610LLRLRP MOTOROLA

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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