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VN0610LLRLRA

更新时间： 2024-01-01 08:47:30
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 52K
描述
TRANSISTOR 190 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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VN0610LLRLRA 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.2配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.19 A
最大漏极电流 (ID)：0.19 A最大漏源导通电阻：5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：5 pF
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.4 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

VN0610LLRLRA 数据手册

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ON Semiconductort  
FET Transistor  
N–Channel — Enhancement  
VN0610LL  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain–Source Voltage  
V
DSS  
DGR  
Drain–Gate Voltage (R = 1 MΩ)  
V
60  
GS  
Gate–Source Voltage  
– Continuous  
V
± 20  
± 40  
Vdc  
Vpk  
GS  
– Non–repetitive (t ≤ 50 µs)  
V
GSM  
p
1
2
3
Drain Current  
Continuous  
Pulsed  
mAdc  
I
190  
1000  
D
I
CASE 29–11, STYLE 22  
TO–92 (TO–226AA)  
DM  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
400  
3.2  
mW  
mW/°C  
A
D
Operating and Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
3 DRAIN  
Symbol  
Max  
312.5  
300  
Unit  
°C/W  
°C  
2
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
GATE  
θ
JA  
L
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/16” from case for 10 seconds  
T
1 SOURCE  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Drain–Source Breakdown Voltage  
V
60  
—
Vdc  
(BR)DSS  
(V = 0, I = 100 µA)  
GS  
D
Zero Gate Voltage Drain Current  
(V = 48 Vdc, V = 0)  
I
µAdc  
DSS  
—
—
10  
500  
DS  
GS  
(V = 48 Vdc, V = 0, T = 125°C)  
DS  
GS  
J
Gate–Body Leakage Current, Forward  
(V = 30 V, V = 0)  
I
—
–100  
nAdc  
GSSF  
GSF  
DS  
ON CHARACTERISTICS(1)  
Gate Threshold Voltage (V = V , I = 1.0 mA)  
V
GS(th)  
0.8  
2.5  
Vdc  
DS  
GS  
D
Static Drain–Source On–Resistance  
(V = 10 V, I = 500 mA)  
r
Ω
DS(on)  
—
—
5.0  
9.0  
GS  
D
(V = 10 V, I = 500 mA, T = 125°C)  
GS  
D
C
Drain–Source On–Voltage  
(V = 5.0 V, I = 200 mA)  
V
DS(on)  
Vdc  
—
—
1.5  
2.5  
GS  
D
(V = 10 V, I = 500 mA)  
GS  
D
On–State Drain Current (V = 10 V, V ≥ 2.0 V  
)
I
D(on)  
750  
100  
—
—
mAdc  
GS  
DS  
DS(on)  
Forward Transconductance (V ≥ 2.0 V  
, I = 500 mA)  
g
fs  
µmhos  
DS  
DS(on)  
D
1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
March, 2001 – Rev. 2  
VN0610LL/D  
1234

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VN0610LLRLRA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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