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VIT3060G-E3/4W PDF预览

VIT3060G-E3/4W

更新时间： 2024-11-27 08:20:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管瞄准线高压功效
页数 文件大小 规格书
5页 173K
描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VIT3060G-E3/4W 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-262AA
包装说明：R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.7
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.69 V
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：60 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VIT3060G-E3/4W 数据手册

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New Product  
VT3060C, VFT3060C, VBT3060C & VIT3060C  
Vishay General Semiconductor  
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low V = 0.38 V at I = 5 A  
F
F
FEATURES  
• Trench MOS Schottky technology  
TMBS®  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Low forward voltage drop, low power  
losses  
• High efficiency operation  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF  
maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
3
3
2
2
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,  
per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and  
TO-262AA package)  
1
1
VT3060C  
VFT3060C  
PIN 1  
PIN 1  
PIN 2  
CASE  
PIN 2  
PIN 3  
PIN 3  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
TO-263AB  
TO-262AA  
K
TYPICAL APPLICATIONS  
K
For use in high frequency inverters, switching power  
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc  
converters and reverse battery protection.  
2
3
1
2
1
MECHANICAL DATA  
VBT3060C  
VIT3060C  
Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB and  
TO-262AA  
PIN 1  
PIN 2  
K
PIN 1  
PIN 2  
K
HEATSINK  
PIN 3  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability  
rating  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
2 x 15 A  
VRRM  
60 V  
170 A  
0.57 V  
150 °C  
IFSM  
VF at IF = 15 A  
TJ max.  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL VT3060C  
VFT3060C VBT3060C VIT3060C  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
60  
V
Maximum average forward rectified current  
(fig. 1)  
per device  
per diode  
30  
15  
IF(AV)  
IFSM  
EAS  
A
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
170  
180  
1.0  
Non-repetitive avalanche energy  
at TJ = 25 °C, L = 60 mH per diode  
mJ  
A
Peak repetitive reverse current  
at tp = 2 µs, 1 kHz, TJ = 38 °C 2 °C per diode  
IRRM  
Isolation voltage (ITO-220AB only)  
from terminal to heatsink t = 1 min  
VAC  
1500  
V
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
°C  
Document Number: 89134  
Revision: 08-Sep-09  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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与VIT3060G-E3/4W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VIT3060GHM3-4W VISHAY

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 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VIT3060G-M3/4W VISHAY

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 		DIODE 15 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA
VIT3060G-M3-4W VISHAY

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 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
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