5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8532.30.00.10 | 风险等级： | 5.84 |
| 调节器方向： | VERTICAL | 最大电容： | 10 pF |
| 最小电容： | 2.5 pF | 电容器类型： | VARIABLE CAPACITOR |
| 介电材料： | CERAMIC | JESD-609代码： | e4 |
| 安装特点： | THROUGH HOLE MOUNT | 多匝： | |
| 额定（直流）电压（URdc）： | 25 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | SILVER | 端子形状： | FLAT |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VIT3P28H3U750C1 | VICOR |
获取价格 |
符合 VITA 62 标准的电源转换器 |
|
| VIT4045C | VISHAY |
获取价格 |
Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| VIT4045CHM3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| VIT4045CHM3/4W | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA |
|
| VIT4045C-M3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| VIT4045C-M3/4W | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA |
|
| VIT4060C | VISHAY |
获取价格 |
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| VIT4060C-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A |
|
| VIT4060C-E3/4W | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 20 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA |
|
| VIT4060C-E3-4W | VISHAY |
获取价格 |
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
