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VIT30L60C-E3/4W

更新时间： 2024-11-27 19:44:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
5页 145K
描述
DIODE 15 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode

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VIT30L60C-E3/4W 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-262AA
包装说明：R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：1.54
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.57 VJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：60 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VIT30L60C-E3/4W 数据手册

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VT30L60C, VIT30L60C  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A  
FEATURES  
TMBS®  
• Trench MOS Schottky technology  
TO-220AB  
TO-262AA  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
K
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
3
3
2
2
1
1
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency converters, switching power  
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC  
converters, and reverse battery protection.  
VT4060C  
VIT4060C  
PIN 1  
PIN 1  
PIN 2  
K
PIN 2  
CASE  
PIN 3  
PIN 3  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AB and TO-262AA  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
2 x 15 A  
60 V  
Terminals: matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
VRRM  
IFSM  
200 A  
0.45 V  
150 °C  
VF at IF = 15 A  
TJ max.  
Polarity: as marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
Package  
TO-220AB, TO-262AA  
Common cathode  
Diode variation  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VT30L60C  
VIT30L60C  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
60  
30  
15  
V
per device  
per diode  
Maximum average forward rectified current  
(fig. 1)  
IF(AV)  
IFSM  
A
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
200  
Voltage rate of change (rated VR)  
dV/dt  
10 000  
V/μs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-40 to +150  
Revision: 09-Nov-17  
Document Number: 89438  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VIT30L60C-E3-4W VISHAY

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 		Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
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