是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-P16 |
针数: | 16 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.47 | 雪崩能效等级(Eas): | 493 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (ID): | 31 A |
最大漏源导通电阻: | 0.25 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-XUFM-P16 | 元件数量: | 4 |
端子数量: | 16 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 124 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
19MT050XFPBF | INFINEON | 暂无描述 |
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19N10 | UTC | 100V N-Channel MOSFET |
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19N10_09 | UTC | 100V N-Channel MOSFET |
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19N10_15 | UTC | N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE |
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19N10G | UTC | 100V N-Channel MOSFET |
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19N10G-T3P-T | UTC | 100V N-Channel MOSFET |
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