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VI30120SG-M3/4W

更新时间： 2024-11-24 18:31:23

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
5页	142K
描述
DIODE 30 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode

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VI30120SG-M3/4W 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.69
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
最大非重复峰值正向电流：	220 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	30 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	120 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

VI30120SG-M3/4W 数据手册

V30120SG, VI30120SG

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low V_F= 0.47 V at I_F= 5 A

FEATURES

TMBS^®

• Trench MOS Schottky technology

TO-220AB

TO-262AA

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s,

per JESD 22-B106

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

V30120SG

VI30120SG

For use in high frequency DC/DC converters, switching

power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and

reverse battery protection.

PIN 1

PIN 2

CASE

PIN 2

PIN 3

MECHANICAL DATA

Case: TO-220AB and TO-262AA

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

30 A

120 V

220 A

0.81 V

150 °C

Base P/N-M3

- halogen-free, RoHS-compliant, and

V_RRM

commercial grade

I_FSM

Terminals: matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

V_Fat I_F= 30 A

T_Jmax.

Package

TO-220AB, TO-262AA

Single

Polarity: as marked

Diode variation

Mounting Torque: 10 in-lbs maximum

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

V30120SG

VI30120SG

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum average forward rectified current (fig. 1)

V_RRM

120

I_F(AV)

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

220

Voltage rate of change (rated V_R)

dV/dt

10 000

V/μs

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

-40 to +150

Revision: 09-Nov-17

Document Number: 89245

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VI30120SHM3/4W	VISHAY	获取价格	DIODE 30 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
VI30120SHM3-4W	VISHAY	获取价格	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VI30120S-M3-4W	VISHAY	获取价格	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VI30150C	VISHAY	获取价格	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A
VI30150C-E3/4W	VISHAY	获取价格	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A
VI30150C-E3-4W	VISHAY	获取价格	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VI30150CHM3/4W	VISHAY	获取价格	DIODE 15 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
VI30150CHM3-4W	VISHAY	获取价格	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VI30150C-M3/4W	VISHAY	获取价格	DIODE 15 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
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