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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> VI30150C-E3/4W
VI30150C-E3/4W PDF预览

VI30150C-E3/4W

更新时间： 2024-11-21 06:02:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管瞄准线高压功效
页数 文件大小 规格书
5页 168K
描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A

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VI30150C-E3/4W 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-262AA包装说明：R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.58Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：140 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：150 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

VI30150C-E3/4W 数据手册

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New Product  
V30150C, VF30150C, VB30150C & VI30150C  
Vishay General Semiconductor  
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low V = 0.56 V at I = 5 A  
F
F
FEATURES  
TMBS®  
• Trench MOS Schottky technology  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Low forward voltage drop, low power  
losses  
• High efficiency operation  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
3
3
2
2
1
1
V30150C  
VF30150C  
TO-262AA  
• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB  
and TO-262AA package)  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
PIN 2  
CASE  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TO-263AB  
K
K
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency inverters, switching power  
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc  
converters and reverse battery protection.  
2
1
3
2
1
VB30150C  
VI30150C  
MECHANICAL DATA  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 1  
PIN 2  
K
PIN 2  
K
HEATSINK  
Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB and  
TO-262AA  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test  
IF(AV)  
2 x 15 A  
VRRM  
150 V  
140 A  
0.71 V  
150 °C  
IFSM  
VF at IF = 15 A  
TJ max.  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL V30150C  
VF30150C VB30150C VI30150C  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
150  
V
Maximum average forward rectified current  
(Fig. 1)  
per device  
per diode  
30  
15  
IF(AV)  
A
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
IFSM  
140  
Isolation voltage (ITO-220AB only)  
from terminal to heatsink t = 1 min  
VAC  
1500  
V
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
°C  
Document Number: 89047  
Revision: 19-May-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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与VI30150C-E3/4W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VI30150C-E3-4W VISHAY

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 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VI30150CHM3/4W VISHAY

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 		DIODE 15 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
VI30150CHM3-4W VISHAY

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 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
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