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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> VI20120C-E3/4W
VI20120C-E3/4W PDF预览

VI20120C-E3/4W

更新时间： 2024-10-15 08:20:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管瞄准线高压功效
页数 文件大小 规格书
5页 162K
描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VI20120C-E3/4W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-262AA
包装说明：R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.36
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.72 V
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：120 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：120 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

VI20120C-E3/4W 数据手册

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New Product  
V20120C, VF20120C, VB20120C & VI20120C  
Vishay General Semiconductor  
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low V = 0.54 V at I = 5 A  
F
F
FEATURES  
• Trench MOS Schottky technology  
TMBS®  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Low forward voltage drop, low power  
losses  
• High efficiency operation  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF  
maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
3
3
2
2
1
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,  
per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and  
TO-262AA package)  
1
V20120C  
VF20120C  
PIN 1  
PIN 1  
PIN 2  
CASE  
PIN 2  
PIN 3  
PIN 3  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
TO-263AB  
TO-262AA  
K
TYPICAL APPLICATIONS  
K
For use in high frequency converters, switching power  
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc  
converters and reverse battery protection.  
2
3
1
2
1
MECHANICAL DATA  
VB20120C  
VI20120C  
Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB and  
TO-262AA  
PIN 1  
PIN 2  
K
PIN 1  
PIN 2  
K
HEATSINK  
PIN 3  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability  
rating  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: As marked  
IF(AV)  
2 x 10 A  
VRRM  
120 V  
120 A  
0.64 V  
150 °C  
IFSM  
VF at IF = 10 A  
TJ max.  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL V20120C VF20120C VB20120C VI20120C  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
EAS  
120  
V
Maximum average forward rectified current  
(fig. 1)  
per device  
per diode  
20  
10  
A
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
120  
80  
Non-repetitive avalanche energy  
at TJ = 25 °C, L = 60 mH per diode  
mJ  
Peak repetitive reverse current at tp = 2 µs, 1 kHz,  
TJ = 38 °C 2 °C per diode  
IRRM  
dV/dt  
0.5  
10 000  
A
V/µs  
V
Voltage rate of change (rated VR)  
Isolation voltage (ITO-220AB only)  
from terminal to heatsink t = 1 min  
VAC  
1500  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 40 to + 150  
°C  
Document Number: 89040  
Revision: 24-Jun-09  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
12345

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VI20120C-E3/4W 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
VI20120C-M3/4W VISHAY

完全替代

 DIODE 10 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
VI20120CHM3/4W VISHAY

完全替代

 DIODE 10 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL

与VI20120C-E3/4W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VI20120CHM3/4W VISHAY

获取价格

 		DIODE 10 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
VI20120CHM3-4W VISHAY

获取价格

 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VI20120C-M3/4W VISHAY

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 		DIODE 10 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
VI20120C-M3-4W VISHAY

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 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VI20120S VISHAY

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 		High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
VI20120S-E3/4W VISHAY

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 		High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
VI20120SG VISHAY

获取价格

 		High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
VI20120SG-E3/4W VISHAY

获取价格

 		High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
VI20120SG-E3-4W VISHAY

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 		High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VI20120SGHM3-4W VISHAY

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 		High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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