是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-262AA |
包装说明: | R-PSIP-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.41 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS |
应用: | EFFICIENCY | 外壳连接: | CATHODE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 0.81 V |
JEDEC-95代码: | TO-262AA | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 最大非重复峰值正向电流: | 200 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最大输出电流: | 20 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 120 V |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
技术: | SCHOTTKY | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
VI20120SG | VISHAY |
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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A | |
VI20120SG-E3/4W | VISHAY |
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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A | |
VI20120SG-E3-4W | VISHAY |
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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
VI20120SGHM3-4W | VISHAY |
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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
VI20120SG-M3-4W | VISHAY |
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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
VI20120SHM3-4W | VISHAY |
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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
VI20120S-M3-4W | VISHAY |
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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
VI-201-29 | VICOR |
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VI-200™ & VI-J00™ DC-DC 转换器 | |
VI20150C | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A | |
VI20150C-E3/4W | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A |