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VI10150S-E3/4W

更新时间： 2024-09-16 06:02:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高压
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5页 166K
描述
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

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VI10150S-E3/4W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-262AA
包装说明：R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.37
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.75 VJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：120 A元件数量：1
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：150 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

VI10150S-E3/4W 数据手册

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New Product  
V10150S, VF10150S, VB10150S & VI10150S  
Vishay General Semiconductor  
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low V = 0.59 V at I = 5 A  
F
F
FEATURES  
TMBS®  
• Trench MOS Schottky technology  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Low forward voltage drop, low power  
losses  
• High efficiency operation  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
3
3
2
2
1
1
• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB  
and TO-262AA package)  
V10150S  
VF10150S  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
PIN 2  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
CASE  
TO-263AB  
TO-262AA  
K
TYPICAL APPLICATIONS  
K
For use in high frequency inverters, switching power  
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc  
converters and reverse battery protection.  
A
NC  
3
2
1
MECHANICAL DATA  
VB10150S  
VI10150S  
PIN 1  
PIN 3  
NC  
A
K
PIN 2  
K
Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB and  
TO-262AA  
HEATSINK  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test  
IF(AV)  
10 A  
150 V  
120 A  
0.69 V  
VRRM  
IFSM  
Polarity: As marked  
VF at IF = 10 A  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
TJ max.  
150 °C  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
V10150S  
VF10150S VB10150S VI10150S  
UNIT  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum average forward rectified current (Fig. 1)  
VRRM  
150  
10  
IF(AV)  
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
120  
A
Isolation voltage (ITO-220AB only)  
from terminal to heatsink t = 1 min  
VAC  
1500  
V
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
°C  
Document Number: 89058  
Revision: 19-May-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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与VI10150S-E3/4W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VI10150SGHM3/4W VISHAY

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 		DIODE 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
VI10150SGHM3-4W VISHAY

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 		High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VI10150SG-M3/4W VISHAY

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 		DIODE 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
VI10150SG-M3-4W VISHAY

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 		High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VI10150SHM3/4W VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 150V V(RRM), Silicon, TO-262AA,
VI10150S-M3/4W VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 150V V(RRM), Silicon, TO-262AA,
VI102 ETC

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 		Analog IC
VI-102 VARITRONIX

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 		REMARK: N.C = NO CONNECTION PCB LINKAGE: PIN1 & PIN2
VI10210000J0G AMPHENOL

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 		Barrier Strip Terminal Block
VI10210200J0G AMPHENOL

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 		Barrier Strip Terminal Block

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