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VF20150SG-M3/4W

更新时间： 2024-11-24 19:53:43

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
4页	86K
描述
DIODE 20 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN, Rectifier Diode

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VF20150SG-M3/4W 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.66
其他特性：	FREEWHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	140 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	20 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	150 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

VF20150SG-M3/4W 数据手册

VF20150SG

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low V_F= 0.57 V at I_F= 5 A

FEATURES

TMBS^®

ITO-220AB

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s,

per JESD 22-B106

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

VF20150SG

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency DC/DC converters, switching

PIN 1

PIN 2

power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and

PIN 3

reverse battery protection.

MECHANICAL DATA

Case: ITO-220AB

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

20 A

150 V

V_RRM

Base P/N-M3

- halogen-free, RoHS-compliant, and

commercial grade

I_FSM

140 A

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

V_Fat I_F= 20 A

T_Jmax.

0.77 V

150 °C

Package

Diode variation

ITO-220AB

Single die

Polarity: As marked

Mounting Torque: 10 in-lbs maximum

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

VF20150SG

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum average forward rectified current (fig. 1)

V_RRM

150

I_F(AV)

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

140

Voltage rate of change (rated V_R)

dV/dt

V_AC

10 000

1500

V/μs

Isolation voltage from termal to heatsink t = 1 min

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

-55 to +150

°C

Revision: 28-Oct-13

Document Number: 89269

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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VF20200G	VISHAY	获取价格	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VF20200G-E3/4W	VISHAY	获取价格	DIODE 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB,
VF20200G-E3-4W	VISHAY	获取价格	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
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VF20202G-M3/4W	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-22
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