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VF20202C-M3/4W PDF预览

VF20202C-M3/4W

更新时间： 2024-11-05 21:02:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
6页 167K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, HALGOEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN

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VF20202C-M3/4W 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HALGOEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：13 weeks风险等级：5.24
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.9 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向电流：150 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VF20202C-M3/4W 数据手册

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V20202C, VF20202C, VB20202C, VI20202C  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A  
FEATURES  
TMBS®  
• Trench MOS Schottky technology Gen 2  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,  
per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220-AB, and  
TO-262AA package)  
3
3
2
2
1
1
V20202C  
VF20202C  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 1  
PIN 2  
CASE  
PIN 2  
PIN 3  
TYPICAL APPLICATIONS  
TO-263AB  
TO-262AA  
For use in high frequency DC/DC converters, switching  
power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and  
reverse battery protection.  
K
K
2
MECHANICAL DATA  
3
1
Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB, and TO-262AA  
2
1
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
VB20202C  
VI20202C  
Base P/N-M3  
- halogen-free, RoHS-compliant, and  
PIN 1  
PIN 2  
PIN 1  
PIN 3  
K
PIN 2  
K
commercial grade  
HEATSINK  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
2 x 10 A  
200 V  
Polarity: As marked  
VRRM  
Mounting Torque: 10 in-lbs max.  
IFSM  
VF at IF = 10 A (TA = 125 °C)  
TJ max.  
150 A  
0.68 V  
175 °C  
TO-220AB, ITO-220AB,  
TO-263AB, TO-262AA  
Package  
Diode variations  
Common cathode  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL V20202C  
VF20202C VB20202C  
VI20202C  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
200  
20  
V
per device  
per diode  
Maximum average forward rectified current  
(fig. 1)  
IF(AV)  
VDC  
IFSM  
A
10  
Maximum DC reverse voltage  
160  
V
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
150  
10 000  
Voltage rate of change (rated VR)  
dV/dt  
VAC  
V/μs  
V
Isolation voltage (ITO-220AB only)  
from terminal to heatsink, t = 1 min  
1500  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-40 to +175  
°C  
Revision: 12-Dec-16  
Document Number: 87797  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
123456

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与VF20202C-M3/4W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VF20202G-M3/4W VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-22
VF20318100J0G AMPHENOL

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 		Barrier Strip Terminal Block
VF20319000J0G AMPHENOL

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 		Barrier Strip Terminal Block
VF20325000J0G AMPHENOL

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