是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | S-XUFM-D4 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 2.28 | 其他特性: | UL RECOGNIZED |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.7 V | JESD-30 代码: | S-XUFM-D4 |
JESD-609代码: | e4 | 最大非重复峰值正向电流: | 550 A |
元件数量: | 4 | 相数: | 3 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 150 °C |
最大输出电流: | 30 A | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 800 V | 子类别: | Bridge Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
VBO36-12NO7 | IXYS |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 30A, 1200V V(RRM), Silicon, | |
VBO36-12NO8 | IXYS |
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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 30A, 1200V V(RRM), Silicon, | |
VBO36-12NO8 | LITTELFUSE |
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采用各种封装的二极管,用于1相桥配置中的主整流。 | |
VBO36-14NO7 | IXYS |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 30A, 1400V V(RRM), Silicon, | |
VBO36-14NO8 | IXYS |
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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 30A, 1400V V(RRM), Silicon, | |
VBO36-16NO8 | IXYS |
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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 30A, 1600V V(RRM), Silicon, | |
VBO36-16NO8 | LITTELFUSE |
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采用各种封装的二极管,用于1相桥配置中的主整流。 | |
VBO36-18NO7 | IXYS |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 30A, 1800V V(RRM), Silicon | |
VBO36-18NO8 | IXYS |
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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 30A, 1800V V(RRM), Silicon, | |
VBO36-18NO8 | LITTELFUSE |
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采用各种封装的二极管,用于1相桥配置中的主整流。 |