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VBO36-12NO8

更新时间： 2024-11-21 19:26:39

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IXYS		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
2页	254K
描述
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 30A, 1200V V(RRM), Silicon,

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VBO36-12NO8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	S-XUFM-D4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	2.31	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.7 V	JESD-30 代码：	S-XUFM-D4
JESD-609代码：	e4	最大非重复峰值正向电流：	550 A
元件数量：	4	相数：	3
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	30 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1200 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

VBO36-12NO8 数据手册

VBO 36

I_dAV

30 A

Three Phase Rectiﬁer Bridge

V_RRM= 800-1800 V

V_RSM

V_DSM

V_RRM

V_DRM

Type

800

VBO 36-08NO8

1200

1400

1600

1200

1400

1600

VBO 36-12NO8

VBO 36-14NO8

VBO 36-16NO8

1800

VBO 36-18NO8

Features

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

• Package with ¼" fast-on terminals

• Isolation voltage 3000 V~

• Planar passivated chips

• Blocking voltage up to 1800 V

• Low forward voltage drop

• UL registered E 72873

I_dAV

I_dAVM

T_C= 85°C, module

T_C= 62°C, module

I_FSM

T_VJ= 45°C; t = 10 ms (50 Hz)

550

600

V_R= 0

t = 8.3 ms (60 Hz)

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

;

t = 10 ms (50 Hz)

t = 8.3 ms (60 Hz)

500

550

A²s

Applications

I²t

T_VJ= 45°C; t = 10 ms (50 Hz)

1520

• Supplies for DC power equipment

• Input rectiﬁers for PWM inverter

• Battery DC power supplies

V_R= 0

t = 8.3 ms (60 Hz)

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

;

t = 10 ms (50 Hz)

t = 8.3 ms (60 Hz)

1250

• Field supply for DC motors

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+150

°C

Advantages

• Easy to mount with one screw

• Space and weight savings

• Improved temperature & power cycling

V_ISOL

50/60 Hz, RMS t = 1 min

I_ISOL< 1 mA t = 1 s

2500

3000

M_d

Mounting torque (M5)

(10-32 UNF)

2 10ꢀ

18 10ꢀ lb.in.

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394“)

Weight

Typ.

6.3 x 0.8

Symbol

I_R

Conditions

Characteristic Values

V_R= V_RRM

T_VJ= 25°C

T_VJ= T_VJM

0.3

2.0

V_F

I_F= 150 A

T_VJ= 25°C

1.7

V_T0

r_t

For power-loss calculations only

0.8

5.8

R_thJC

per diode; 120° el.

per module

per diode; 120° el.

per module

6.20 K/W

1.55 K/W

7.40 K/W

1.85 K/W

R_thJH

d_S

d_A

Creeping distance on surface

Creepage distance in air

Max. allowable acceleration

12.7

9.4

50 m/s²

Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20100303a

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VBO36-14NO7	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 30A, 1400V V(RRM), Silicon,
VBO36-14NO8	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 30A, 1400V V(RRM), Silicon,
VBO36-16NO8	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 30A, 1600V V(RRM), Silicon,
VBO36-16NO8	LITTELFUSE	获取价格	采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。
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VBO36-18NO8	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 30A, 1800V V(RRM), Silicon,
VBO36-18NO8	LITTELFUSE	获取价格	采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。
VBO40	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO40-08NO6	IXYS	获取价格	Standard Rectifier
VBO40-08NO6	LITTELFUSE	获取价格	采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。

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