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VBO45-16NO7

更新时间： 2024-11-18 19:46:11

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IXYS		局域网二极管
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1页	60K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 45A, 1600V V(RRM), Silicon,

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VBO45-16NO7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-XUFM-X11
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.75	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.7 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X11	JESD-609代码：	e4
最大非重复峰值正向电流：	550 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	11
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	45 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1600 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

VBO45-16NO7 数据手册

VBO 45

I_dAV= 45 A

V_RRM= 800-1800 V

Single Phase

Rectifier Bridge

Preliminary data

V_RSM

V_RRM

Types

900

1300

1500

1700

1900

800

VBO 45-08NO7

VBO 45-12NO7

VBO 45-14NO7

VBO 45-16NO7

VBO 45-18NO7

1200

1400

1600

1800

–

Symbol

Conditions Maximum Ratings

Features

• Package with copper base plate

• Isolation voltage 3000 V~

• Planar passivated chips

• Low forward voltage drop

• 1/4" fast-on power terminals

I_dAV①T_C= 100°C, module

I_FSM

T_VJ= 45°C;

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

550

600

_VJ= T_VJM

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

500

550

V_R= 0

Applications

I²t

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

1520

A²s

• Supplies for DC power equipment

• Input rectifiers for PWM inverter

• Battery DC power supplies

• Field supply for DC motors

_VJ= T_VJM

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

1250

A²s

V_R= 0

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+125

°C

Advantages

• Easy to mount with two screws

• Space and weight savings

• Improved temperature and power

cycling capability

V_ISOL

50/60 Hz, RMS t = 1 min

I_ISOL≤ 1 mA t = 1 s

2500

3000

• Small and light weight

M_d

Mounting torque (M5)

(10-32 UNF)

typ.

15 ꢀ

44 15 ꢀ lb.in.

110

Weight

Symbol

I_R

Conditions

Characteristic Values

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

V_R= V_RRM

;

T_VJ= 25°C

T_VJ= T_VJM

≤

0.5 mA

10 mA

V_F

I_F= 150 A;

T_VJ= 25°C

≤

1.7

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

T_VJ= T_VJM

0.8

mΩ

R_thJC

per diode; DC current

per module

per diode, DC current

per module

1.45 K/W

0.363 K/W

1.9 K/W

R_thJK

0.475 K/W

d_S

d_A

Creeping distance on surface

Creepage distance in air

Max. allowable acceleration

16.1 mm

7.5 mm

50 m/s²

Data according to IEC 60747 refer to a single diode unless otherwise stated

① for resistive load at bridge output.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VBO45-18NO7	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 45A, 1800V V(RRM), Silicon,
VBO50	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO50-08NO7	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO50-12NO7	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO50-14NO7	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO50-16NO7	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO50-18NO7	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO52	NJSEMI	获取价格	Single Phase Rectifier Bride
VBO52-08NO7	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 52A, 800V V(RRM), Silicon,
VBO52-08NO7	NJSEMI	获取价格	Single Phase Rectifier Bride

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