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VBO36-14NO8 PDF预览

VBO36-14NO8

更新时间： 2024-09-16 19:26:39
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 254K
描述
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 30A, 1400V V(RRM), Silicon,

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VBO36-14NO8 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：S-XUFM-D4
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.73Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.7 V
JESD-30 代码：S-XUFM-D4JESD-609代码：e4
最大非重复峰值正向电流：550 A元件数量：4
相数：3端子数量：4
最高工作温度：150 °C最大输出电流：30 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1400 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：SOLDER LUG
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VBO36-14NO8 数据手册

 浏览型号VBO36-14NO8的Datasheet PDF文件第2页 
VBO 36  
IdAV  
=
30 A  
Three Phase Rectifier Bridge  
VRRM = 800-1800 V  
+
-
VRSM  
VDSM  
VRRM  
VDRM  
Type  
~
V
V
~
~
800  
800  
VBO 36-08NO8  
1200  
1400  
1600  
1200  
1400  
1600  
VBO 36-12NO8  
VBO 36-14NO8  
VBO 36-16NO8  
~
+
-
1800  
1800  
VBO 36-18NO8  
Features  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
• Package with ¼" fast-on terminals  
• Isolation voltage 3000 V~  
• Planar passivated chips  
• Blocking voltage up to 1800 V  
• Low forward voltage drop  
• UL registered E 72873  
IdAV  
IdAVM  
TC = 85°C, module  
TC = 62°C, module  
25  
30  
A
A
IFSM  
TVJ = 45°C; t = 10 ms (50 Hz)  
550  
600  
A
A
VR = 0  
t = 8.3 ms (60 Hz)  
TVJ = TVJM  
VR = 0  
;
t = 10 ms (50 Hz)  
t = 8.3 ms (60 Hz)  
500  
550  
A
A
A2s  
A2s  
A2s  
A2s  
Applications  
I2t  
TVJ = 45°C; t = 10 ms (50 Hz)  
1520  
1520  
• Supplies for DC power equipment  
• Input rectifiers for PWM inverter  
• Battery DC power supplies  
VR = 0  
t = 8.3 ms (60 Hz)  
TVJ = TVJM  
VR = 0  
;
t = 10 ms (50 Hz)  
t = 8.3 ms (60 Hz)  
1250  
1250  
• Field supply for DC motors  
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+150  
150  
-40...+150  
°C  
°C  
°C  
Advantages  
• Easy to mount with one screw  
• Space and weight savings  
• Improved temperature & power cycling  
VISOL  
50/60 Hz, RMS t = 1 min  
IISOL < 1 mA t = 1 s  
2500  
3000  
V~  
V~  
Md  
Mounting torque (M5)  
(10-32 UNF)  
2 10ꢀ  
18 10ꢀ lb.in.  
Nm  
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394“)  
Weight  
Typ.  
22  
g
6.3 x 0.8  
Symbol  
IR  
Conditions  
Characteristic Values  
VR = VRRM  
TVJ = 25°C  
TVJ = TVJM  
0.3  
2.0  
mA  
mA  
VF  
IF = 150 A  
TVJ = 25°C  
1.7  
V
VT0  
rt  
For power-loss calculations only  
0.8  
5.8  
V
mW  
RthJC  
per diode; 120° el.  
per module  
per diode; 120° el.  
per module  
6.20 K/W  
1.55 K/W  
7.40 K/W  
1.85 K/W  
D
E
RthJH  
dS  
dA  
a
Creeping distance on surface  
Creepage distance in air  
Max. allowable acceleration  
12.7  
9.4  
mm  
mm  
50 m/s2  
B
A
Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated.  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© IXYS All rights reserved  
20100303a  
1 - 2  
12

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与VBO36-14NO8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VBO36-16NO8 IXYS

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 		Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 30A, 1600V V(RRM), Silicon,
VBO36-16NO8 LITTELFUSE

获取价格

 		采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。
VBO36-18NO7 IXYS

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 30A, 1800V V(RRM), Silicon
VBO36-18NO8 IXYS

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 30A, 1800V V(RRM), Silicon,
VBO36-18NO8 LITTELFUSE

获取价格

 		采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。
VBO40 IXYS

获取价格

 		Single Phase Rectifier Bridge
VBO40-08NO6 IXYS

获取价格

 		Standard Rectifier
VBO40-08NO6 LITTELFUSE

获取价格

 		采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。
VBO40-12NO6 IXYS

获取价格

 		Standard Rectifier
VBO40-12NO6 LITTELFUSE

获取价格

 		采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。

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