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VB60100C-M3/4W

更新时间： 2024-09-25 19:31:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
5页 95K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3/2

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VB60100C-M3/4W 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3/2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：5 weeks风险等级：5.47
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.79 VJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流：320 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：30 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向电流：1000 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VB60100C-M3/4W 数据手册

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VB60100C  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A  
FEATURES  
TMBS®  
• Trench MOS Schottky technology  
TO-263AB  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
K
• Low thermal resistance  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 245 °C  
2
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
1
VB60100C  
PIN 1  
PIN 2  
K
TYPICAL APPLICATIONS  
HEATSINK  
For use in high frequency converters, switching power  
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC  
converters, and reverse battery protection.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Package  
TO-263AB  
2 x 30 A  
100 V  
MECHANICAL DATA  
IF(AV)  
Case: TO-263AB  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
VRRM  
Base P/N-M3  
commercial grade  
- halogen-free, RoHS-compliant, and  
IFSM  
320 A  
VF at IF = 30 A  
TJ max.  
0.66 V  
Terminals: matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
M3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test  
150 °C  
Diode variations  
Common cathode  
Polarity: as marked  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VB60100C  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
100  
60  
V
A
per device  
Maximum average forward rectified current (fig. 1)  
per diode  
IF(AV)  
IFSM  
30  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
320  
A
Voltage rate of change (rated VR)  
dV/dt  
10 000  
V/μs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-40 to +150  
Revision: 09-Nov-17  
Document Number: 87988  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345

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与VB60100C-M3/4W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VB60100C-M3/8W VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, HALOGE
VB60100C-M3_15 VISHAY

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 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VB60120C-E3/8W VISHAY

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 		DIODE 30 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3,
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 		Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VB-60MB FUJITSU

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 		Power/Signal Relay, DPST, Momentary, 0.012A (Coil), 60VDC (Coil), 700mW (Coil), 5A (Contac

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