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VB60170G-E3/4W

更新时间： 2024-11-13 15:56:47

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
4页	95K
描述
DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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VB60170G-E3/4W 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	1.52
Is Samacsys：	N	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	CATHODE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.02 V
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：	210 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	30 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	170 V
最大反向电流：	450 µA	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

VB60170G-E3/4W 数据手册

VB60170G-E3

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low V_F= 0.50 V at I_F= 5 A

FEATURES

TMBS^®

TO-263AB

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 245 °C

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

VB60170G

TYPICAL APPLICATIONS

PIN 1

PIN 2

For use in high frequency DC/DC converters, switching

power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and

reverse battery protection.

HEATSINK

MECHANICAL DATA

Case: TO-263AB

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

2 x 30 A

170 V

V_RRM

I_FSM

210 A

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

V_Fat I_F= 30 A

T_Jmax.

Package

0.72 V

175 °C

TO-263AB

Polarity: As marked

Diode variations

Common cathode

Mounting Torque: 10 in-lbs maximum

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

VB60170G

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

170

per device

per diode

Maximum average forward rectified current

(fig. 1)

I_F(AV)

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

210

Voltage rate of change (rated V_R)

dV/dt

10 000

V/μs

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

-40 to +175

Revision: 11-Sep-13

Document Number: 89950

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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VB60170G-E3/4W 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
VBT10200C-E3/8W	VISHAY	功能相似	DIODE 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R

与VB60170G-E3/4W相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VB60170G-E3_15	VISHAY	获取价格	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VB-60MB	FUJITSU	获取价格	Power/Signal Relay, DPST, Momentary, 0.012A (Coil), 60VDC (Coil), 700mW (Coil), 5A (Contac
VB-60MBU	FUJITSU	获取价格	Power/Signal Relay, DPST, Momentary, 0.012A (Coil), 60VDC (Coil), 700mW (Coil), 5A (Contac
VB-60MBU-5	FUJITSU	获取价格	Power/Signal Relay, DPST, Momentary, 0.012A (Coil), 60VDC (Coil), 700mW (Coil), 5A (Contac
VB-60MBU-5VB-60MBU-5	FUJITSU	获取价格	Power/Signal Relay, POWER/SIGNAL RELAY
VB-60MBU-E	FUJITSU	获取价格	Power/Signal Relay, DPST, Momentary, 0.012A (Coil), 60VDC (Coil), 700mW (Coil), 5A (Contac
VB-60MC	FUJITSU	获取价格	Power/Signal Relay, DPST, Momentary, 0.012A (Coil), 60VDC (Coil), 700mW (Coil), 5A (Contac
VB-60MCU	FUJITSU	获取价格	Power/Signal Relay, DPST, Momentary, 0.012A (Coil), 60VDC (Coil), 700mW (Coil), 5A (Contac
VB-60MCU-5	FUJITSU	获取价格	Power/Signal Relay, DPST, Momentary, 0.012A (Coil), 60VDC (Coil), 700mW (Coil), 5A (Contac
VB-60MCU-E	FUJITSU	获取价格	Power/Signal Relay, DPST, Momentary, 0.012A (Coil), 60VDC (Coil), 700mW (Coil), 5A (Contac

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