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VB10150C-E3/8W

更新时间： 2024-02-17 14:22:32
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高压
页数 文件大小 规格书
5页 168K
描述
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A

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VB10150C-E3/8W 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：D2PAK包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.58其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：60 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：150 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

VB10150C-E3/8W 数据手册

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New Product  
V10150C, VF10150C, VB10150C & VI10150C  
Vishay General Semiconductor  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Breakdown voltage  
IR = 1.0 mA TA = 25 °C  
VBR  
150 (minimum)  
-
V
IF = 3 A  
IF = 5 A  
0.82  
0.99  
-
T
A = 25 °C  
1.41  
Instantaneous forward voltage per diode (1)  
Reverse current per diode (2)  
VF  
V
IF = 3 A  
IF = 5 A  
0.63  
0.69  
-
TA = 125 °C  
0.75  
TA = 25 °C  
0.5  
0.5  
-
-
µA  
mA  
VR = 100 V  
TA =125°C  
IR  
TA = 25 °C  
-
100  
10  
µA  
mA  
V
R = 150 V  
TA = 125 °C  
1.0  
Notes:  
(1) Pulse test: 300 µs pulse width, 1 % duty cycle  
(2) Pulse test: Pulse width ≤ 40 ms  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
V10150C  
VF10150C  
VB10150C  
VI10150C  
UNIT  
Typical thermal resistance per diode  
RθJC  
4.0  
6.5  
4.0  
4.0  
°C/W  
ORDERING INFORMATION (Example)  
PACKAGE  
TO-220AB  
ITO-220AB  
TO-263AB  
TO-263AB  
TO-262AA  
PREFERRED P/N  
V10150C-E3/4W  
VF10150C-E3/4W  
VB10150C-E3/4W  
VB10150C-E3/8W  
VI10150C-E3/4W  
UNIT WEIGHT (g)  
PACKAGE CODE  
BASE QUANTITY  
50/tube  
DELIVERY MODE  
Tube  
1.87  
1.74  
1.39  
1.38  
1.45  
4W  
4W  
4W  
8W  
4W  
50/tube  
Tube  
50/tube  
Tube  
800/reel  
Tape and reel  
Tube  
50/tube  
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES  
(T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
12  
5
4
3
D = 0.8  
Resistive or Inductive Load  
D = 0.5  
D = 0.3  
V(B,I)10150C  
10  
8
D = 0.2  
VF10150C  
D = 1.0  
6
D = 0.1  
2
1
0
4
T
2
D = tp/T  
tp  
Mounted on Specific Heatsink  
0
0
1
2
3
4
5
6
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
Average Forward Current (A)  
Case Temperature (°C)  
Figure 1. Maximum Forward Current Derating Curve  
Figure 2. Forward Power Loss Characteristics Per Diode  
www.vishay.com  
2
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
Document Number: 89068  
Revision: 19-May-08  
12345

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