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VB10150C-E3/8W

更新时间: 2024-02-06 18:02:50
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威世 - VISHAY 高压
页数 文件大小 规格书
5页 168K
描述
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A

VB10150C-E3/8W 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:D2PAK包装说明:R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.58其他特性:FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用:EFFICIENCY外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:60 A
元件数量:2相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):245
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:150 V
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:MATTE TIN OVER NICKEL端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

VB10150C-E3/8W 数据手册

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New Product  
V10150C, VF10150C, VB10150C & VI10150C  
Vishay General Semiconductor  
100  
10  
10  
Junction to Case  
TA = 150 °C  
TA = 125 °C  
TA = 100 °C  
1
TA = 25 °C  
V(B,I)10150C  
0.1  
1
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
1.6  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
Instantaneous Forward Voltage (V)  
t - Pulse Duration (s)  
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode  
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode  
10  
10  
Junction to Case  
1
TA = 150 °C  
TA = 125 °C  
0.1  
TA = 100 °C  
0.01  
0.001  
TA = 25 °C  
0.0001  
VF10150C  
1
0.01  
0.00001  
0.1  
1
10  
100  
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
90 100  
t - Pulse Duration (s)  
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)  
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode  
Figure 7. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode  
10 000  
TJ = 25 °C  
f = 1.0 MHz  
Vsig = 50 mVp-p  
1000  
100  
10  
0.1  
1
10  
100  
Reverse Voltage (V)  
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode  
Document Number: 89068  
Revision: 19-May-08  
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PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
3

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