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V62C1161024LL-70T

更新时间： 2024-10-13 22:34:19
品牌 Logo 应用领域
MOSEL 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 121K
描述
Ultra Low Power 64K x 16 CMOS SRAM

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V62C1161024LL-70T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP44,.46,32
针数：44Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最长访问时间：70 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
长度：18.41 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：64KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：2 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.000001 A
最小待机电流：1 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.03 mA最大供电电压 (Vsup)：2.2 V
最小供电电压 (Vsup)：1.8 V标称供电电压 (Vsup)：2 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

V62C1161024LL-70T 数据手册

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V62C1161024L(L)  
Ultra Low Power  
64K x 16 CMOS SRAM  
Features  
Functional Description  
The V62C1161024L is a Low Power CMOS Static RAM  
organized as 65,536 words by 16 bits. Easy memory exp-  
ansion is provided by an active LOW (CE) and (OE) pin.  
• Ultra Low-power consumption  
- Active: 30mA ICC at 70ns  
- Stand-by: 5 mA(CMOS input/output)  
1 mA (CMOS input/output, Lversion)  
This device has an automatic power-down mode feature  
when deselected. Separate Byte Enable controls (BLE  
• 70/85/100/120 ns access time  
• Equal access and cycle time  
• Single +1.8V to 2.2V Power Supply  
• Tri-state output  
and BHE  
) allow individual bytes to be accessed. BLE  
controls the lower bits I/O1 - I/O8. BHE controls the  
upper bits I/O9 - I/O16.  
Writing to these devices is performed by taking Chip  
Enable (CE) with Write Enable (WE) and Byte Enable  
(BLE/BHE) LOW.  
• Automatic power-down when deselected  
Reading from the device is performed by taking Chip  
Enable (CE) with Output Enable (OE) and Byte Enable  
(BLE/BHE) LOW while Write Enable (WE) is held  
HIGH.  
• Multiple center power and ground pins for  
improved noise immunity  
• Individual byte controls for both Read and  
Write cycles  
• Available in 44 pin TSOP (II) Package  
Logic Block Diagram  
TSOP(II)  
Pre-Charge Circuit  
A0  
A1  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
CE  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
I/O4  
Vcc  
Vss  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
I/O8  
WE  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
A5  
A6  
A7  
OE  
Vcc  
Vss  
A2  
A3  
A4  
A5  
A6  
A7  
Memory Array  
1024 X 1024  
BHE  
BLE  
I/O16  
I/O15  
I/O14  
I/O13  
Vss  
Vcc  
I/O12  
I/O11  
I/O10  
I/O9  
NC  
A8  
A9  
Data  
Cont  
I/O1 - I/O8  
I/O Circuit  
Data  
Cont  
I/O9 - I/O16  
Column Select  
A10 A11 A12 A13 A14 A15  
A15  
A14  
A13  
A12  
NC  
A8  
A9  
A10  
A11  
NC  
WE  
OE  
BHE  
BLE  
CE  
1
REV. 1.1 April 2001 V62C1161024L(L)  
1234567...10

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与V62C1161024LL-70T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
V62C1161024LL-85T MOSEL

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 		Ultra Low Power 64K x 16 CMOS SRAM
V62C1162048L MOSEL

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 		Ultra Low Power 128K x 16 CMOS SRAM
V62C1162048L(L)-100B MOSEL

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