是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, SOP8,.25 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.33.00.01 | Factory Lead Time: | 6 weeks |
风险等级: | 5.79 | 放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构: | VOLTAGE-FEEDBACK | 最小共模抑制比: | 84 dB |
标称共模抑制比: | 98 dB | 频率补偿: | YES |
最大输入失调电压: | 3500 µV | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 4.9 mm |
低-失调: | YES | 微功率: | YES |
湿度敏感等级: | 2 | 负供电电压上限: | -20 V |
标称负供电电压 (Vsup): | -15 V | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
包装方法: | TR | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
功率: | NO | 电源: | 5/+-15 V |
可编程功率: | NO | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.75 mm | 最小摆率: | 1.7 V/us |
标称压摆率: | 5 V/us | 子类别: | Operational Amplifier |
最大压摆率: | 1.1 mA | 供电电压上限: | 20 V |
标称供电电压 (Vsup): | 15 V | 表面贴装: | YES |
技术: | BIPOLAR | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽: | 500 kHz |
最小电压增益: | 1 | 宽带: | NO |
宽度: | 3.9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
V62/12615-01XE | TI |
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增强型产品 PHYTER 极端温度单端口 10/100Mb/s 以太网物理层 | PHP | |
V62/12615-01XE-R | TI |
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增强型产品 PHYTER 极端温度单端口 10/100Mb/s 以太网物理层 | PHP | |
V62/12615-01YE | TI |
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增强型产品 PHYTER 极端温度单端口 10/100Mb/s 以太网物理层 | PTB | |
V62/12615-01YE-R | TI |
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增强型产品 PHYTER 极端温度单端口 10/100Mb/s 以太网物理层 | PTB | |
V62/12618-01XE | TI |
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增强型产品通用和 PCI-X 1:4 时钟缓冲器 | PW | 8 | -40 to 10 | |
V62/12619-01XE | TI |
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1.1nV/âHz NOISE, LOW POWER, PRECISION OPERA | |
V62/12620-01XE | TI |
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具有 2KB 闪存和 128B RAM 的增强型 16 位超低功耗混合信号微控制器 | D | |
V62/12620-01XE-T | TI |
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具有 2KB 闪存和 128B RAM 的增强型 16 位超低功耗混合信号微控制器 | D | |
V62/12621-01XE | TI |
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具有 2KB 闪存和 128B RAM 的增强型 16 位超低功耗混合信号微控制器 | P | |
V62/12621-01XE-T | TI |
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具有 2KB 闪存和 128B RAM 的增强型 16 位超低功耗混合信号微控制器 | P |