是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TSSOP |
包装说明: | TSSOP-14 | 针数: | 14 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8542.31.00.01 |
Factory Lead Time: | 6 weeks | 风险等级: | 5.76 |
Samacsys Description: | 16-bit Microcontrollers - MCU EP 16B Ultra-Lo-Pwr Mixed Signal MCU | 具有ADC: | YES |
地址总线宽度: | 位大小: | 16 | |
边界扫描: | YES | DAC 通道: | NO |
DMA 通道: | YES | 外部数据总线宽度: | |
格式: | FIXED POINT | 集成缓存: | NO |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G14 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 5 mm | 低功率模式: | YES |
湿度敏感等级: | 3 | DMA 通道数量: | 1 |
外部中断装置数量: | I/O 线路数量: | 10 | |
串行 I/O 数: | 端子数量: | 14 | |
计时器数量: | 1 | 片上数据RAM宽度: | 8 |
片上程序ROM宽度: | 8 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | PWM 通道: | NO |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
RAM(字节): | 128 | RAM(字数): | 0.125 |
ROM(单词): | 3072 | ROM可编程性: | FLASH |
座面最大高度: | 1.2 mm | 速度: | 16 MHz |
最大压摆率: | 0.39 mA | 最大供电电压: | 3.6 V |
最小供电电压: | 1.8 V | 标称供电电压: | 2.2 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 4.4 mm |
uPs/uCs/外围集成电路类型: | MICROCONTROLLER, RISC | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
V62/12623-01XE | TI |
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增强型混合信号微控制器 | PW | 14 | -40 to 85 | |
V62/12623-01XE-T | TI |
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增强型混合信号微控制器 | PW | 14 | -40 to 85 | |
V62/12624-01XE | TI |
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具有可选输入的 HiRel、1:10 LVPECL 缓冲器 | VF | 32 | -55 | |
V62/12625-01XE | TI |
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增强型混合信号微控制器 | PW | 20 | -40 to 125 | |
V62/12625-01XE-T | TI |
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增强型混合信号微控制器 | PW | 20 | -40 to 125 | |
V62/12626-01XE | TI |
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Enhanced product, dual, 5.5-V, 3-MHz, RRIO operational amplifier | DRB | 8 | -40 to 150 | |
V62/12627-01XE | TI |
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Enhanced product, single, 36-V, 1.2-MHz, low-power operational amplifier | DRL | 5 | -40 t | |
V62/12667-01XE | TI |
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增强型产品 16 位双电源总线收发器 | DGG | 48 | -55 to 125 | |
V62/12667-01XE-T | TI |
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增强型产品 16 位双电源总线收发器 | DGG | 48 | -55 to 125 | |
V62/13602-01XE | TI |
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具有可配置转换和三态输出的增强型产品 16 位双电源总线收发器 | DGG | 48 | |