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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> V60100C-E3/4W
V60100C-E3/4W PDF预览

V60100C-E3/4W

更新时间： 2024-01-09 19:37:33
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管瞄准线高压功效PC局域网
页数 文件大小 规格书
5页 149K
描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V60100C-E3/4W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：1.85
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/404708.1.1.pngSchematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=404708
PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=4047083D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=404708
Samacsys PartID：404708Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/V60100C-E3/4W.jpg
Samacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/V60100C-E3/4W.jpgSamacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：TO-220AB-Samacsys Released Date：2020-03-04 15:19:55
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.58 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：320 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：30 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

V60100C-E3/4W 数据手册

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New Product  
V60100C & VB60100C  
Vishay General Semiconductor  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Breakdown voltage  
I
R = 1.0 mA TA = 25 °C  
VBR  
100 (minimum)  
-
IF = 5 A  
0.45  
0.52  
0.58  
0.63  
0.73  
-
-
IF = 10 A  
IF = 15 A  
IF = 20 A  
IF = 30 A  
T
A = 25 °C  
0.63  
-
0.79  
V
Instantaneous forward voltage per diode (1)  
VF  
IF = 5 A  
0.36  
0.45  
0.53  
0.58  
0.66  
-
-
IF = 10 A  
IF = 15 A  
IF = 20 A  
IF = 30 A  
T
A = 125 °C  
A = 25 °C  
0.58  
-
0.70  
T
24  
13  
500  
20  
µA  
VR = 80 V  
TA =125°C  
mA  
Reverse current at rated VRM per diode (2)  
IR  
TA = 25 °C  
65  
30  
1000  
-
µA  
V
R = 100 V  
TA = 125 °C  
mA  
Notes:  
(1) Pulse test: 300 µs pulse width, 1 % duty cycle  
(2) Pulse test: 10 ms pulse width  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
V60100C  
VB60100C  
UNIT  
Typical thermal resistance per diode  
RθJC  
2.5  
2.5  
°C/W  
ORDERING INFORMATION  
PACKAGE  
TO-220AB  
TO-263AB  
TO-263AB  
PREFERRED P/N  
V60100C-E3/4W  
VB60100C-E3/4W  
VB60100C-E3/8W  
UNIT WEIGHT (g)  
PACKAGE CODE  
BASE QUANTITY DELIVERY MODE  
1.89  
1.38  
1.38  
4W  
4W  
8W  
50/tube  
50/tube  
800/reel  
Tube  
Tube  
Tape and reel  
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES  
(T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
70  
30  
25  
20  
Resistive or Inductive Load  
D = 0.8  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
D = 0.5  
D = 0.3  
D = 1.0  
D = 0.2  
15  
D = 0.1  
T
10  
5
D = tp/T  
tp  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
Case Temperature (°C)  
Average Forward Current (A)  
Figure 1. Forward Current Derating Curve  
Figure 2. Forward Power Loss Characteristics Per Diode  
www.vishay.com  
2
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
Document Number: 88942  
Revision: 16-Jan-08  
12345

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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