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V60100C-M3/4W

更新时间： 2024-01-24 18:06:14

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网功效二极管
页数	文件大小	规格书
4页	132K
描述
DIODE 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TMBS, 3 PIN, Rectifier Diode

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V60100C-M3/4W 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.48
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.58 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	320 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	30 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

V60100C-M3/4W 数据手册

V60100C

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low V_F= 0.36 V at I_F= 5 A

FEATURES

TMBS^®

TO-220AB

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

V60100C

For use in high frequency converters, switching power

supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC

converters and reverse battery protection.

PIN 1

PIN 3

PIN 2

CASE

MECHANICAL DATA

Case: TO-220AB

PRIMARY CHARACTERISTICS

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

I_F(AV)

2 x 30 A

100 V

Base P/N-M3

- halogen-free, RoHS compliant, and

V_RRM

commercial grade

I_FSM

320 A

Terminals: matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

V_Fat I_F= 30 A

T_Jmax.

Package

0.66 V

150 °C

TO-220AB

Polarity: as marked

Diode variation

Common cathode

Mounting Torque: 10 in-lbs max.

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

V60100C

100

UNIT

Max. repetitive peak reverse voltage

V_RRM

per device

per diode

Max. average forward rectified current (fig. 1)

I_F(AV)

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load per diode

I_FSM

320

Voltage rate of change (rated V_R)

dV/dt

10 000

V/μs

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

-40 to +150

Revision: 09-Nov-17

Document Number: 89155

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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