生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2, TSOP40/44,.46,32 | 针数: | 44 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.83 |
访问模式: | EDO | 最长访问时间: | 40 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS /SELF REFRESH | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G40 | 长度: | 18.41 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | EDO DRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 40 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装等效代码: | TSOP40/44,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 512 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 最大待机电流: | 0.0005 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.11 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
V53C16258SLT45 | MOSEL |
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HIGH PERFORMANCE 3.3 VOLT 256K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH | |
V53C16258SLT50 | MOSEL |
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HIGH PERFORMANCE 3.3 VOLT 256K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH | |
V53C1664H | MOSEL |
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HIGH PERFORMANCE 64K X 16 BIT FAST PAGE MODE DUAL CAS CMOS DYNAMIC RAM | |
V53C181608 | ETC |
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V53C181608K50 | ETC |
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x16 EDO Page Mode DRAM | |
V53C181608K60 | ETC |
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x16 EDO Page Mode DRAM | |
V53C181608K70 | ETC |
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x16 EDO Page Mode DRAM | |
V53C256AJ10 | ETC |
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x1 Fast Page Mode DRAM | |
V53C256AJ10L | ETC |
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x1 Fast Page Mode DRAM | |
V53C256AJ60 | ETC |
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x1 Fast Page Mode DRAM |