生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2, TSOP40/44,.46,32 | 针数: | 44 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.83 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | EDO |
最长访问时间: | 45 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS /SELF REFRESH |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G40 |
长度: | 18.41 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | EDO DRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 40 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSOP40/44,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 512 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
最大待机电流: | 0.0005 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
V53C16258SLT50 | MOSEL |
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HIGH PERFORMANCE 3.3 VOLT 256K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH | |
V53C1664H | MOSEL |
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HIGH PERFORMANCE 64K X 16 BIT FAST PAGE MODE DUAL CAS CMOS DYNAMIC RAM | |
V53C181608 | ETC |
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||
V53C181608K50 | ETC |
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x16 EDO Page Mode DRAM | |
V53C181608K60 | ETC |
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x16 EDO Page Mode DRAM | |
V53C181608K70 | ETC |
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x16 EDO Page Mode DRAM | |
V53C256AJ10 | ETC |
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x1 Fast Page Mode DRAM | |
V53C256AJ10L | ETC |
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x1 Fast Page Mode DRAM | |
V53C256AJ60 | ETC |
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x1 Fast Page Mode DRAM | |
V53C256AJ60L | ETC |
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x1 Fast Page Mode DRAM |