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V10P45HM3/86A

更新时间： 2024-02-23 03:42:16

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		PC 功效瞄准线光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	81K
描述
DIODE 4.4 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMPC, 3 PIN, Rectifier Diode

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V10P45HM3/86A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-277
包装说明：	R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.7
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-277A	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	180 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	4.4 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	45 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

V10P45HM3/86A 数据手册

New Product

V10P45

Vishay General Semiconductor

High Current Density Surface Mount

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low V_F= 0.34 V at I_F= 5 A

FEATURES

TMBS^®eSMP^®Series

• Very low profile - typical height of 1.1 mm

• Ideal for automated placement

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of

260 °C

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in

accordance to WEEE 2002/96/EC

TO-277A (SMPC)

Anode 1

Anode 2

• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

Cathode

TYPICAL APPLICATIONS

For use in low voltage high frequency DC/DC converters,

freewheeling, and polarity protection applications.

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

10 A

45 V

MECHANICAL DATA

Case: TO-277A (SMPC)

V_RRM

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

I_FSM

180 A

0.41 V

150 °C

Base P/N-M3

- halogen-free, RoHS compliant, and

V_Fat I_F= 10 A

T_Jmax.

commercial grade

Base P/NH-M3 - halogen-free, RoHS compliant, and

automotive grade

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HM3 suffix

meets JESD 201 class 2 whisker test

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

V10P45

V1045

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

(1)

I_F

Maximum DC forward current

(2)

I_F

4.4

Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

180

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 40 to + 150

°C

Notes

(1)

Mounted on 30 mm x 30 mm pad areas aluminum PCB

Free air, mounted on recommended copper pad area

(2)

Document Number: 89340

Revision: 19-Apr-11

For technical questions within your region, please contact one of the following:

DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

www.vishay.com

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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
V10P45HM3/87A	VISHAY	获取价格	DIODE 4.4 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA
V10P45HM3_A/H	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 4.4A, 45V V(RRM), Silicon, TO-277A, HALOGEN
V10P45HM3-86A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V10P45HM3-87A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V10P45-M3	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
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