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Datasheet > V10P45S-M3/86A
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V10P45S-M3/86A

更新时间： 2024-02-01 05:07:14
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY PC功效瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 91K
描述
DIODE 4.4 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMPC, 3 PIN, Rectifier Diode

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V10P45S-M3/86A 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-277
包装说明：R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.27
其他特性：LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.5 VJEDEC-95代码：TO-277A
JESD-30 代码：R-PDSO-F3最大非重复峰值正向电流：180 A
元件数量：1相数：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
最大输出电流：4.4 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：45 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

V10P45S-M3/86A 数据手册

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V10P45S-M3  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
SMD Photovoltaic Solar Cell Protection Schottky Rectifier  
Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 5 A  
FEATURES  
• Very low profile - typical height of 1.1 mm  
TMBS® eSMP® Series  
• Ideal for automated placement  
• Trench MOS Schottky technology  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
K
1
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
2
TO-277A (SMPC)  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
K
Anode 1  
Anode 2  
Cathode  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in solar cell junction box as a bypass diode for  
protection, using DC forward current without reverse bias.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
10 A  
45 V  
MECHANICAL DATA  
VRRM  
Case: TO-277A (SMPC)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
IFSM  
180 A  
0.41 V  
150 °C  
VF at IF = 10 A  
TOP max.  
Base P/N-M3  
- halogen-free, RoHS-compliant, and  
commercial grade  
Package  
TO-277A (SMPC)  
Single die  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
Diode variation  
M3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
V10P45S  
1045S  
45  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
V
A
(1)  
IF  
10  
Maximum DC forward current  
(2)  
IF  
4.4  
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
180  
A
Junction temperature in DC forward current  
without reverse bias, t 1 h  
(3)  
TJ  
200  
°C  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
TOP  
-40 to +150  
-40 to +175  
°C  
°C  
TSTG  
Notes  
(1)  
(2)  
(3)  
Mounted on 30 mm x 30 mm aluminum PCB  
Free air, mounted on recommended copper pad area  
Meets the requirements of IEC 61215 ed. 2 bypass diode thermal test  
Revision: 28-Nov-13  
Document Number: 89341  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345

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 		RADIAL VARISTOR 10MM ROHS/LEAD F
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V10P460PL2A5X2855 LITTELFUSE

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