V10P10HM3/86A

更新时间： 2024-02-19 17:02:51

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		整流二极管光电二极管瞄准线功效
页数	文件大小	规格书
5页	111K
描述
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

V10P10HM3/86A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-277
包装说明：	R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.22
Is Samacsys：	N	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.62 V
JEDEC-95代码：	TO-277A	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	180 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

V10P10HM3/86A 数据手册

New Product

V10P10

Vishay General Semiconductor

High Current Density Surface Mount

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low V = 0.453 V at I = 5 A

FEATURES

• Very low profile - typical height of 1.1 mm

TMBS^®eSMP^TMSeries

• Ideal for automated placement

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power

losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum

peak of 260 °C

TO-277A (SMPC)

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

Anode 1

Anode 2

Cathode

• Halogen-free

MECHANICAL DATA

Case: TO-277A (SMPC)

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

10 A

Molding compound meets UL 94V-0 flammability

rating.

100 V

Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade

Base P/NHE3 - RoHS compliant, high reliability/

automotive grade (AEC-Q101 qualified)

Base P/N-M3 - halogen-free and RoHS compliant,

commercial grade

180 A

E_AS

100 mJ

0.574 V

150 °C

V_Fat I_F= 10 A

T_Jmax.

Base P/NHM3 - halogen-free and RoHS compliant,

high reliability/automotive grade (AEC-Q101 qualified)

TYPICAL APPLICATIONS

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

E3 and M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker

test, HE3 and HM3 suffix meets JESD 201 class 2

whisker test

For use in low voltage high frequency inverters,

freewheeling, dc-to-dc converters and polarity

protection applications.

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

V10P10

V1010

100

UNIT

Device marking code

V_RRM

I_F(AV)

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum average forward rectified current (Fig. 1)

Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

180

Non-repetitive avalanche energy

at I_AS= 2.0 A, T_J= 25 °C

E_AS

100

°C

T_J,T_STG

Operating junction and storage temperature range

- 40 to + 150

Document Number: 89006

Revision: 30-Jul-08

For technical questions within your region, please contact one of the following:

PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

V10P10HM3/86A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
V10P10-M3/87A	VISHAY	类似代替	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V10P10-M3/86A	VISHAY	功能相似	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V10P10HM3/87A	VISHAY	类似代替	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

与V10P10HM3/86A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
V10P10HM3/87A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V10P10HM3_A/H	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-277A, HALOGEN
V10P10HM3_A/I	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-277A, HALOGEN
V10P10HM386A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V10P10HM3-86A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V10P10HM387A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V10P10HM3-87A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V10P10-M3	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V10P10-M3/86A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V10P10-M3/87A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

与V10P10HM3/86A相关文章

压敏电阻器在直流电路中的过压保护应用探讨
2024-06-07

2
电感耐压值及其与电感大小的关系
2024-06-07

5
CNY17F光耦合器：特性、应用、封装、引脚功能及替换型号解析
2024-06-07

4
DS1307资料解析：特性、引脚说明、替代推荐
2024-06-07

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

V10P10HM3/86A

V10P10HM3/86A 技术参数

V10P10HM3/86A 数据手册

V10P10HM3/86A 替代型号

与V10P10HM3/86A相关器件

与V10P10HM3/86A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

V10P10HM3/86A

V10P10HM3/86A 技术参数

V10P10HM3/86A 数据手册

V10P10HM3/86A 替代型号

与V10P10HM3/86A相关器件

与V10P10HM3/86A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？