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V10P10HM3_A/I PDF预览

V10P10HM3_A/I

更新时间： 2024-01-02 11:27:00
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY PC功效瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 550K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-277A, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMPC, 3 PIN

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V10P10HM3_A/I 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMPC, 3 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：5.64
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.68 VJEDEC-95代码：TO-277A
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：180 A
元件数量：1相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：150 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

V10P10HM3_A/I 数据手册

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V10P10  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
High Current Density Surface Mount  
MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low  
VF = 0.453 V at IF = 5 A  
FEATURES  
• Very low profile - typical height of 1.1 mm  
TMBS® eSMP® Series  
Available  
• Ideal for automated placement  
K
• Trench MOS Schottky technology  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
1
2
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,  
LF maximum peak of 260 °C  
• AEC-Q101 qualified available  
TO-277A (SMPC)  
- Automotive ordering code; base P/NHM3  
K
Anode 1  
Anode 2  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
Cathode  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-277A (SMPC)  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
10 A  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-M3  
commercial grade  
Base P/NHM3  
AEC-Q101 qualified  
Base P/NHM3_X - halogen-free, RoHS-compliant and  
AEC-Q101 qualified   
(“_X” denotes revision code e.g. A, B,.....)  
-
halogen-free, RoHS-compliant, and  
VRRM  
100 V  
180 A  
IFSM  
- halogen-free, RoHS-compliant and  
EAS  
100 mJ  
0.574 V  
150 °C  
VF at IF = 10 A  
TJ max.  
Package  
TO-277A (SMPC)  
Single die  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
Diode variations  
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HM3 suffix  
meets JESD 201 class 2 whisker test  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage high frequency inverters,  
freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection  
applications.  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
V10P10  
V1010  
100  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum average forward rectified current (fig. 1)  
VRRM  
IF(AV)  
V
A
10  
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
180  
A
Non-repetitive avalanche energy at IAS = 2.0 A, TJ = 25 °C  
Peak repetitive reverse current at tp = 2 μs, 1 kHz, TJ = 38 °C 2 °C  
Operating junction and storage temperature range  
EAS  
IRRM  
100  
1.0  
mJ  
A
TJ, TSTG  
-40 to +150  
°C  
Revision: 16-Dec-14  
Document Number: 89006  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345

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