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UZHCS400TA

更新时间: 2024-11-04 15:56:27
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 157K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.4A, Silicon, MINIATURE PACKAGE-2

UZHCS400TA 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:MINIATURE PACKAGE-2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.34配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.4 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.25 W认证状态:Not Qualified
最大反向恢复时间:0.01 µs表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

UZHCS400TA 数据手册

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ZHCS400  
SOD323 SILICON HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER DIODE  
“SuperBAT”  
FEATURES  
Low VF  
SOD323  
PINOUT - TOP VIEW  
High current capability  
Miniature surface m ount package  
APPLICATIONS  
DC - DC converters  
Mobile telecom m s  
PCMCIA  
Partm ark is for exam ple only  
DEVICE MARKING  
Partm ark detail - BD  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
S YMBOL  
VALUE  
UNIT  
V
Co n tin u o u s Re ve rs e Vo lta g e  
Fo rw a rd Cu rre n t (Co n tin u o u s )  
Fo rw a rd Vo lta g e @ IF =400m A  
Ave ra g e Pe a k Fo rw a rd Cu rre n t; D.C. = 50%  
VR  
40  
400  
500  
1000  
IF  
m A  
m V  
m A  
VF  
IFAV  
IFS M  
6.75  
3
A
A
No n Re p e titive Fo rw a rd Cu rre n t  
tՅ100µs  
tՅ10m s  
Po w e r Dis s ip a tio n a t Ta m b =25°C  
S to ra g e Te m p e ra tu re Ra n g e  
J u n ctio n Te m p e ra tu re  
Pto t  
Ts tg  
Tj  
250  
-55 to +150  
125  
m W  
°C  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tam b = 25°C unless otherwise stated)  
PARAMETER  
S YMBOL  
V(BR)R  
VF  
MIN.  
TYP. MAX.  
UNIT  
CONDITIONS  
Re ve rs e Bre a kd o w n Vo lta g e  
Fo rw a rd Vo lta g e  
40  
60  
V
IR=200µA  
270  
300  
370  
425  
550  
640  
810  
440  
300  
350  
460  
500  
670  
780  
1050  
m V  
m V  
m V  
m V  
m V  
m V  
m V  
m V  
IF=50m A  
IF=100m A  
IF=250m A  
IF=400m A  
IF=750m A  
IF=1000m A  
IF=1500m A  
IF=500m A, Ta m b =100°C  
Re ve rs e Cu rre n t  
IR  
15  
20  
10  
40  
VR=30V  
µA  
p F  
n s  
Dio d e Ca p a cita n ce  
Re ve rs e Re co ve ry Tim e  
CD  
trr  
f=1MHz,VR=25V  
s w itch e d fro m  
IF = 500m A to IR = 500m A  
Me a s u re d a t IR = 50m A  
ISSUE 2 - SEPTEMBER 2004  
S E M IC O N D U C T O R S  
1

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