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UZHCS500 PDF预览

UZHCS500

更新时间： 2024-11-04 20:04:59
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 102K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, Silicon, SOT-23, 3 PIN

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UZHCS500 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.49配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.33 W
认证状态：Not Qualified最大反向恢复时间：0.01 µs
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

UZHCS500 数据手册

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SOT23 SILICON HIGH CURRENT  
SCHOTTKY BARRIER DIODE “SuperBAT”  
ZHCS500  
ISSUE 1- September 1997  
✪
FEATURES:  
1
•
Low VF  
C
•
High Current Capability  
2
1
APPLICATIONS:  
•
•
•
DC - DC converters  
A
3
Mobile telecomms  
PCMCIA  
3
PARTMARK DETAIL: ZS5  
SOT23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
VALUE  
40  
UNIT  
V
Continuous Reverse Voltage  
Forward Current (Continuous)  
Forward Voltage @ IF = 500mA  
Average Peak Forward Current; D.C. = 50%  
IF  
500  
mA  
mV  
mA  
VF  
550  
IFAV  
IFSM  
1000  
6.75  
3
A
A
Non Repetitive Forward Current t≤100µs  
t≤10ms  
Power Dissipation at Tamb= 25° C  
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
Ptot  
Tstg  
Tj  
330  
-55 to + 150  
125  
mW  
° C  
° C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25° C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL  
V(BR)R  
MIN.  
40  
TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Reverse Breakdown  
Voltage  
60  
V
IR= 200µA  
Forward Voltage  
VF  
270  
300  
370  
465  
550  
640  
810  
440  
300  
350  
460  
550  
670  
780  
1050  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
IF= 50mA*  
IF= 100mA*  
IF= 250mA*  
IF= 500mA*  
IF= 750mA*  
IF= 1000mA*  
IF= 1500mA*  
IF= 500mA, Tamb= 100° C*  
Reverse Current  
IR  
15  
40  
VR= 30V  
µA  
pF  
ns  
Diode Capacitance  
CD  
trr  
20  
10  
f= 1MHz,VR= 25V  
switched from  
IF = 500mA to IR  
Measured at IR  
Reverse Recovery  
Time  
=
500mA  
=
50mA  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width= 300µs; duty cycle ≤2%.  
123

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