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UZDT649TA

更新时间： 2024-11-06 20:55:19
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX /
页数 文件大小 规格书
3页 71K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, SM-8, 8 PIN

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UZDT649TA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SM-8, 8 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.27
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：15
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：2.75 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：240 MHzBase Number Matches：1

UZDT649TA 数据手册

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SM-8 DUAL NPN MEDIUM POWER  
ZDT649  
TRANSISTORS  
ISSUE 1 - NOVEMBER 1995  
C1  
C1  
C2  
C2  
B1  
E1  
B2  
E2  
SM-8  
(8 LEAD SOT223)  
PARTMARKING DETAIL – T649  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
35  
25  
5
V
V
Peak Pulse Current  
6
A
Continuous Collector Current  
IC  
2
A
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
SYMBOL  
Ptot  
VALUE  
UNIT  
Total Power Dissipation at Tamb = 25°C*  
Any single die “on”  
Both die “on” equally  
2.25  
2.75  
W
W
Derate above 25°C*  
Any single die “on”  
Both die “on” equally  
18  
22  
mW/ °C  
mW/ °C  
Thermal Resistance - Junction to Ambient*  
Any single die “on”  
Both die “on” equally  
55.6  
45.5  
°C/ W  
°C/ W  
* The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner  
on a PCB with copper equal to 2 inches square.  
3 - 333  
123

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